日本電子は10月5日、先端半導体の不良解析に向けた低角度イオンミリング走査電子顕微鏡「HAXIS」の販売を開始した。

  • 低角度イオンミリング走査電子顕微鏡 HAXIS

    低角度イオンミリング走査電子顕微鏡 HAXIS

同社では、電位コントラスト(PVC：Passive Voltage Contrast)検出技術を長年研究し、検出器および試料前処理技術の高度化によって、PVCを安定かつ高再現性で観察する技術を確立した。同製品は、この技術を結集した新しい半導体不良解析プラットフォーム。

Arイオンビームを用いた低角度イオンミリング法による独自の剥離加工技術により、試料表面への加工ダメージを抑えながら平坦な加工面を形成する。先端プロセスデバイスにおいても構造や電位情報を保持したまま、鮮明で再現性の高いPVC観察が可能になった。

半導体不良解析では、不良箇所の特定から物理解析、原因究明まで多段階の解析が必要となる。同製品は、不良箇所の絞り込みを迅速かつ高精度に行うことで解析時間の短縮に貢献。Arガスの採用により運用コストも低減する。