AI向け3D IC開発を加速、AMATとBesiが次世代ハイブリッドボンディングで協業拡大

この半導体ニュースのまとめ

・BesiがAMATの研究開発拠点「EPICセンター」にイノベーションパートナーとして参画
・AI向け3D ICやロジックとメモリの統合に向け、ハイブリッドボンディング技術を共同開発
・TCB、ダイ・オン・パネル、フォトニクスを活用した相互接続技術まで協業範囲を拡大

BesiがAMATのEPICセンターに参画

米Applied Materials(AMAT)は、半導体およびエレクトロニクス業界向けアセンブリ装置メーカーである蘭BE Semiconductor Industries(Besi)が、EPICセンターにイノベーションパートナーとして参加すると発表した。

両社は、2020年にシンガポールのAMATの先端パッケージングセンターに共同の卓越研究センター(Center of Excellence)を設立して以来のパートナーで、AMATのプロセスに対する専門知識と、Besiのダイ配置、相互接続、アセンブリ技術を組み合わせることで、統合型ダイ・ウェハハイブリッド接合システム「Kinex」を開発するなど成果を上げてきた。Kinexは、個別装置や工程段階を別々に開発するのではなく、ウェハ加工からダイ配置、ボンディング、検査まで全体の流れを1つの連続工程として最適化するアプローチが核心で、今回の取り組みは、そうした協業をEPICセンターでの取り組みに発展させたものとなり、今後の半導体を支える新たな相互接続アーキテクチャやアプリケーションへと拡大するものになるという。

具体的には、AIインフラの進化に併せて、より高密度で高帯域幅のチップ間およびチップ-パッケージ間の相互接続に対する需要が高まりを踏まえ、ウェハレベルのハイブリッドボンディングからパネル規模の統合まで、高度なパッケージングフロー全体にわたって適化されたプロセスおよびアセンブリソリューションへの早期アクセスを顧客に提供することを目指すとしている。

4つのテーマで研究開発を推進

AMATのゲイリー・ディッカーソン社長兼CEOは、「Besiは長年協力してきた信頼できるパートナーで、同社がイノベーションパートナーとしてEPICセンターに加わることで、顧客が必要とする相互接続技術の協業を拡大できる。EPICセンターを活用することで、両社はロードマップの方向性をより早く把握できるようになり、パッケージングフロー全体を共同で最適化することが可能になる」と述べている。

イノベーションパートナーとして、BesiのエンジニアはEPICセンターでAMATのチームと協力し、より幅広い相互接続および統合技術における共同開発を加速させることになる。従来、高度なパッケージングは後工程の組立工程として扱われていたが、ハイブリッドボンディングやパネルレベルの統合といった技術は、現在では前工程のウェハ製造を規定するのと同じ材料工学の分野に依存している。

今回の協力範囲の拡大は、次世代3D ICのスケーリング、AIコンピューティングおよびメモリアーキテクチャ向けのロジックとメモリの統合に重点を置き、想定される研究開発プログラムには以下の4テーマが含まれる。