イチオシ記事
東北大と京大、反強磁性体を用いたスピントルク磁気メモリを実証
東北大学と京都大学の研究グループは、コバルト・ガドリニウム合金多層膜からなる反強磁性材料を用いた反強磁性体スピントルク磁気メモリを実証したと発表した。同成果は、反強磁性体における磁気モーメント操作の新しい物理を開拓するものであり、超高記録密度・低消費電力の磁気メモリ開発につながることが期待される。
10/25 15:45
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東北大、核スピン由来のスピン流の検出に成功
東北大学の齊藤英治 教授らの研究グループは、原子核の自転運動であるスピンの共鳴運動から生じたスピン流を電圧として検出することに成功した。これにより、従来は金属中の伝導電子や強磁性体中のスピン波が主な研究対象となっていたスピントロニクスという固体素子研究に、核スピンを取り入れる可能性が拓かれた。
10/25 15:26
分子形状によって結晶の電気特性を制御することが可能に - 東大生研
東京大学 生産技術研究所(東大生研)は、分子形状によって結晶の電気特性を制御可能なモデルを提案し、シミュレーションによって、相転移および応答を物理的に解明したと発表した。
09/25 16:54
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東工大、有害元素フリーの高効率青色発光体を開発
東京工業大学の細野秀雄教授らの研究グループは、有害元素フリーの高効率青色発光体を実現した。また、新たに見出した黄色発光物質を組み合わせることで、白色発光するLEDの作製にも成功した。
09/25 07:32
NIMS、デバイス自ら学習し判断する意思決定イオニクスデバイスを開発
物質・材料研究機構(NIMS)は、イオン・分子濃度を計算処理とメモリに利用することで、デバイス自ら学習し判断できる「意思決定イオニクスデバイス」を発明した。従来の人工知能(AI)システムと異なり、ハードウェアの物性を利用してアナログ情報処理を行う新しいAIシステムの開発が期待できる。
09/10 16:04
分子1個の振動をピコ秒単位で観測する手法 - 東大がテラヘルツ波で実現
電磁波の1種であるテラヘルツ波。近年、さまざまな分野で活用が進みつつある。今回、東大 生研の平川教授らによる研究グループは、テラヘルツ波を用いて、分子1個の振動を観測する技術を開発することに成功したという。
09/05 08:00
シリコン光学フィルタをチップ上に集積、広範囲の波長に対応 - MIT
マサチューセッツ工科大学(MIT)の研究チームは、チップ上に集積可能で、非常に広範囲の波長での光信号処理に対応できるシリコン製の光学フィルタを開発した。既存のシリコン半導体デバイスの製造プロセスを用いて作製することができる。
08/24 10:36
電子のトンネル効果を利用した高効率の発光デバイスを作製 - UCSD
カリフォルニア大学サンディエゴ校(UCSD)の研究チームは、電子のトンネル効果を利用したナノサイズの発光デバイスの作製に成功したと発表した。チップ上に搭載可能で光データの高速処理などに使える超小型光源の実現につながるとしている。研究論文は「Nature Photonics」に掲載された。
08/06 15:40
デバイスへの活用が期待されるスピントロニクスとスピン流って？
皆さんはスピントロニクスと言われる研究分野があることをご存じでしょうか。これは電子が持つ、自転に由来した磁石の性質を意味する“スピン”と電子工学を意味する“エレクトロニクス”を組み合わせて生まれた言葉です。今回はこのスピントロニクスの歴史と、現在注目されている”スピン流”について、紹介します。
07/24 10:30
imec、FinFET/シリコンフォトニクス混成の光トランシーバを開発
ベルギーimecは、Semicon Westに併せて開催した「imec Technology Forum USA 2018」において、FinFET CMOSロジック集積回路とシリコン・フォトニクスを混成して集積することで低消費電力と高帯域幅を両立させた光トランシーバを発表した。
07/18 07:36
imecなど、525℃以下プロセスによる積層型プレーナデバイスの試作に成功
ベルギーimecと仏Soitecは、300mmウェハ上に2つの異なるデバイス層を525度という低温で連続的に積層することで、低消費電力と高性能を両立させた3次元フロントエンド積層プロセスを開発することに成功したと発表した。
07/18 07:26
imec、3nm未満におけるインタコネクトを実現するための技術検討を実施
ベルギーimecは、これまでの研究から半導体配線材料としてCuやCoを3nmまで延命可能であると報告をしているが、今回、新たに3nm以降の超微細プロセスにおける半導体配線材料としてのRuの可能性について報告を行なった。
07/18 07:08
imec、3nmプロセス以降の実現に向けた相補型FET技術を発表
ベルギーimecは、米国ハワイで開催された半導体デバイス・回路技術の国際会議「2018 Symposium on VLSI Technology and Circuits(VLSI Symposium)」にて、合計14件の講演を行い、3nmプロセス以降の微細化技術に関する研究などを発表した。
06/26 08:39
東工大、半導体の少数キャリア寿命を正確に測定する評価方法を開発
東京工業大学(東工大)は、同大の研究グループが、ストライプ状に形成したpn接合ダイオードの電流－電圧特性を測定することにより、パワーデバイス用シリコンウエハーの少数キャリア寿命を抽出する新しい評価方法を確立したことを発表した。
06/25 15:01
酸化ガリウムを用いた高耐圧トランジスタを開発 - コーネル大など
コーネル大学などの研究チームは、酸化ガリウム半導体を用いた電界効果トランジスタにおいて降伏電圧1000V超という性能を実現したと発表した。酸化ガリウムは窒化ガリウム(GaN)やシリコンカーバイド(SiC)を上回る絶縁破壊電界強度をもつとされ、次世代の高耐圧パワーデバイスとして期待されている。
06/19 09:05
3nm未満のプロセスをどう実現するのか? imecが語った研究戦略
5月下旬にベルギーで開催された「imec Technology Forum Belgium 2018」においてimecの半導体技術およびシステム開発担当EVPのAn Steegen氏がimecの半導体微細化プロセスや次世代半導体デバイスに関する今後の研究方針を語った。
06/12 08:24
半導体配線材料としてのCuやCoは3nmまで延命可能 - imec
imecは、既存の配線材料であるCuやCoが3nmプロセスノードでも使えることを確認したことを明らかにした。これは、「IITC 2018」おいて、11件の次世代インターコネクト技術に関する論文発表によるものとなる。
06/07 08:28
ルテニウムが第四の室温強磁性元素であることを実証 - ミネソタ大
ミネソタ大学の研究チームは、ルテニウム(Ru)が室温で強磁性体になることを実験的に確認したと発表した。単一の元素で室温条件において強磁性を示す物質は、これまで鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)しか知られておらず、ルテニウムが第四の室温強磁性元素ということになる。研究論文は「Nature Communications」に掲載された。
06/05 19:25
imec、製剤スクリーニング用の臓器チッププラットフォームを発表
独立系ナノテク研究機関であるベルギーimecは5月23日(欧州時間)、オランダのMicronit Microtechnologiesと共同で薬剤開発のための新たな「Organ-on-Chip(臓器チップ)」プラットフォームを開発したと発表した。
05/24 13:11
imecとシンガポールUnisantis、EUVリソによる小型SRAMセルを開発
ベルギ―の独立系ナノテク研究機関imecは5月23日(ベルギー時間)、ベルギーのアントワープで開催されている「imec Technology Forum 2018」において、Unisantis Electronics Singaporeと共同研究による0.0184～0.0205平方マイクロメートルという小型SRAMセルに関する研究成果を報告すると発表した。
05/24 07:00
東北大、弱磁場下で半導体GaAsチャネル中の長距離核スピン偏極の観測に成功
東北大学は、同大らの共同研究グループが、強磁性半導体(Ga,Mn)Asを用いた横型スピン注入素子において、弱磁場下で半導体GaAsチャネル中の核スピン偏極を観測することに成功し、核スピンが20μmの長距離にわたって偏極していることを明らかにしたと発表した。
04/27 12:20
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