次世代半導体技術

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  2021/06/04 06:45
• 東芝、スイッチング損失を最大40.5％低減するトリプルゲートIGBTを開発

  2021/06/03 06:00
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• 産総研、MRAM用記憶素子のシリコンLSIへの集積化技術を開発

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• 東大生研など、プロセッサの配線層に混載可能なメモリデバイス技術を開発

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• 産総研、SiC縦型MOSFETとSiC CMOSの1チップ化に成功

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• 岡山大、有機FETの性能は分子の対称性が関係することを発見

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• NIMSなど、印刷薄膜トランジスタと素子をつなぐ3次元印刷配線の形成に成功

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• NIMSなど、金属ナノ粒子による最小線幅0.6μmの電子配線印刷技術を開発

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• VLSIシンポジウム2021プレビュー 第8回 VLSI Circuitsシンポジウムにおけるセンサ/バイオメディカル関連の注目論文

  2021/05/27 07:30 連載
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