次世代半導体技術

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  2020/10/22 22:04
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  2020/10/16 15:59
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  2020/10/16 06:45
• imec、EUV向けカーボンナノチューブ製ペリクルの有効性を実証

  2020/10/12 13:29
• 東工大など、従来の半分以下の低い温度で圧電体膜の製造に成功

  2020/10/09 16:29
• JSTと東大生研、半導体デバイスの放熱問題を緩和する第4の放熱機構を確認

  2020/10/02 18:34
• Xilinx、900万LCを搭載したFPGA「Virtex UltraScale+ VU19P」の量産を開始

  2020/10/02 15:54
• ルネサス、RISC-V搭載ASSPにAndesのRISC-V 32ビットCPUコアを採用

  2020/10/01 20:41
• 東大、高速な有機半導体集積回路の設計指針を確立

  2020/09/28 09:27
• 東北大、GaN FET構造において「量子ドット」の形成を観測

  2020/09/28 09:17
• 「窒化アルミニウムスカンジウム」による次世代メモリの実現に前進、東工大

  2020/09/25 11:05
• 名大、マイクロ波電力のワイヤレス受電に適したGaN整流素子を開発

  2020/09/25 07:00
• 東北大とKEK、次世代デバイス材料「二酸化バナジウム」の新規電子相を発見

  2020/09/23 18:26
• IoTでのハードウェアの不正流用などを防ぐ安価な認証方式を東北大が開発

  2020/09/21 11:36
• 東工大、発光効率95％ながら有害元素を含まないハロゲン系青色発光体を開発

  2020/09/16 12:30
• SiC中の電気特性分布を3μmの空間分解能で測定できる装置を名工大が開発

  2020/09/12 08:28
• SiCパワー半導体を10倍に高性能化する製造方法を東工大などが開発

  2020/09/08 15:05