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東大とJDI、指紋/静脈/脈波が同時計測できるシート型イメージセンサを開発
東京大学(東大)とジャパンディスプレイ(JDI)は1月21日、高空間解像度と高速読み出しを両立させた曲がるシート型イメージセンサを開発し、指紋・静脈・脈波の同時測定が可能であることを確認したと発表した。
2020/01/21 08:05
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imec、5G以降向けRFフロントエンドモジュール用ミリ波III-Vデバイスを開発
ベルギーの独立系研究機関imecは、300mm Si基板上にGaAs HBTデバイスを、そして200mm Si基板上にCMOS互換GaN系デバイスを形成することに成功したことをCNCC 2020の基調講演で紹介した。
2020/01/14 07:05
imecら、TFT技術を活用した曲がるIoT向け小型タッチスクリーンタグを開発
ベルギーの独立系研究機関imecおよびオランダの政府系研究機関TNO、ならびに世界規模のゲームサプライヤであるCartamundiの3者は、標準的なタッチスクリーン(C-touch)と通信できる、フレキシブルな容量識別タグ(C-touchタグ)を開発したことを発表した。
2019/12/20 16:29
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imec、2nmフォークシートデバイスや2D材料を用いた微細FET検証結果を発表
imecは、米国で開催されたIEDM 2019において、合計30件の発表を行い、そのうち2件の最先端デバイス研究の成果をプレスリリースとして発表し、2nmプロセスのデバイス構造や、次世代材料の可能性を示した。
2019/12/16 11:23
東大とTSMC、先進的な半導体の実現に向けたアライアンスを締結
東京大学(東大)とファウンドリ最大手のTSMCは11月27日、全社・全学レベルのアライアンスを締結し、Society 5.0社会の実現に向けて求められる先進的な半導体システムに関する研究に向けた協業を推進していくことを明らかにした。
2019/11/28 07:50
蘭Holst、フレキシブル有機ELの量産に向けた空間分離ALDプロセスを開発
フレキシブル・エレクトロニクスの公立研究機関である蘭Holst Centreは、大気圧空間分離原子層堆積(sALD)技術を使用して、有機EL(OLED)ディスプレイ用薄膜トランジスタ(TFT)バックプレーンに半導体層と誘電体層を共存させることに成功したと発表した。
2019/11/21 17:17
CMOSイメージセンサへのAI搭載を目指すソニー - ITF Japan 2019
ベルギーの独立系半導体ナノテク半導体研究機関のimecは、10月11日に東京都内で年次研究成果発表イベント「imec Technology Forum Japan 2019(ITF Japan 2019)」が開催され、日本のソニーとimecがCMOSイメージセンサに関する講演を行った。
2019/11/20 07:45
imec、半導体微細化ロードマップを1nmへ向けて更新 - ITF Japan 2019
ベルギーの独立系半導体ナノテク半導体研究機関のimecは、10月11日に東京都内で年次研究成果発表イベント「ITF Japan 2019」を開催。自社で研究開発を進めている半導体微細化ロードマップを1nmに向けて更新した最新版を紹介した。
2019/11/19 07:30
AMAT、次世代半導体の実現に向けた研究施設「METAセンター」を開設
Applied Materials(AMAT)は11月8日(米国時間)、カスタマによる新材料やプロセス技術、デバイス試作を加速させることを目的とした「マテリアルズ エンジニアリング テクノロジー アクセラレーター(METAセンター)」を開設したことを発表した。
2019/11/11 17:20
電通大、磁石を金属に近づけた際に生じる磁場による量子化の計算手法を発見
電気通信大学(電通大)は、磁石を金属に近づけた際に生じる磁場中の量子化エネルギーの計算がヴェルナー・ハイゼンベルクによる「行列力学」の手法を用いることで導き出せることを発見したと発表した。
2019/10/21 13:21
京大と産総研、単一NV中心の量子センサで世界最高クラスの磁場感度を実現
京都大学と産業技術総合研究所(産総研)は、人工的に合成したリンドープn型ダイヤモンドを用いて、NV中心の室温時における世界最長クラスのスピンコヒーレンス時間(T2)2ならびに、単一NV中心を用いた量子センサでの世界最高クラスとなる磁場感度の実現に成功したことを発表した。
2019/08/28 20:01
Maximのマイクロスピーカーに向けたDSMスマートアンプ「MAX98390」とは
Maxim Integratedは6月11日、マイクロスピーカーに向けてDSM(Dynamic Speaker Management)機能を搭載したスマートアンプ「MAX98390」を発表した。
PR 2019/06/28 11:30
ルネサス、SOTBプロセスに混載可能な低消費電力フラッシュメモリ技術を開発
ルネサス エレクトロニクスは、65nmのSOTB(Silicon On Thin Buried Oxide)プロセスに混載可能なフラッシュメモリの低消費電力化技術を開発したことを発表した。
2019/06/17 08:10
ルネサス、28nm車載マイコン向け次世代フラッシュメモリ技術を開発
ルネサス エレクトロニクスは、28nmフラッシュ混載プロセスを採用した車載制御用マイコン向けとなる新たなフラッシュメモリ技術を開発したと発表した。
2019/06/17 07:30
ルネサス、SRAMベースのPIM技術を開発 - メモリ上でのAI処理が可能に
ルネサス エレクトロニクスは6月13日、次世代の組み込みAI(e-AI)の実現に向けた基礎技術として、SRAMベースのProcessing-in-Memory(PIM)アーキテクチャを開発。これを活用したCNN処理を実現するAIアクセラレータを搭載したテストチップにおいて、8.8TOPS/Wの電力効率を実証したと発表した。
2019/06/13 16:54
半導体の微細化はまだ終わらない - imecが技術ロードマップを更新
ベルギーimecのロジックデバイス設計チームは、5月14～15日に開催された同社の年次イベント「Imec Technology Forum (ITF) Belgium 2019」に併せて、半導体ロジックデバイスの微細化ロードマップを更新した。
2019/05/28 07:51
名大、イオン注入によるp型GaNの作製に成功
名古屋大学 未来材料・システム研究所の加地徹 特任教授らの研究グループは、GaNパワーデバイスの最大障壁であったイオン注入により面内伝導型制御ができない課題に対して、イオン注入後、超高圧化状態で熱処理することにより、安定したp型結晶を作製することに成功したと発表した。
2019/05/23 15:16
imec、ジェスチャ認識でバイタルセンシングが可能な140GHzレーダーを開発
ベルギーimecは、小型かつ高感度な140GHz MIMO(多入力多出力)レーダーシステムのデモを披露した。自動車内や日常生活で ジェスチャー認識したり、バイタルサインに関連する微小な皮膚の動きを検出して、非接触で運転手や患者の状態のモニタリングを可能にするという。
2019/05/22 07:39
imec、GaN-on-SOI ICを実用化 - 試作サービスも開始
ベルギーimecは、ハーフブリッジ回路とドライバ回路をGaN-on-SOI基板上にモノリシックに集積したGaN ICを開発し、5月14〰15日にベルギーのアントワープで開催されたimec Technology Forum 2019にて展示実演デモを行った。
2019/05/21 07:37
imec、MEMS技術を活用した半導体冷却用Si製マイクロ流体ヒートシンクを開発
ベルギーimecは、Embedded World Conference 2019において、発熱している高性能半導体チップの冷却向けにMEMSを応用したシリコン(Si)ベースの小型マイクロ流体チャネルヒートシンクを開発したことを発表した。
2019/03/05 13:27
ムーアの法則の終焉、遠のく - imecら、EUVへの逐次浸透合成法の適用に成功
ベルギーimecは、米カリフォルニア州サンフランシスコで開催されたリソグラフィに特化した国際学会「SPIE 2019」において、EUVリソグラフィ(EUVL)によるパターニングプロセスへの逐次浸透合成(SIS)の適用結果などに関する報告を行った。
2019/03/04 07:20
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