大阪公立大学(大阪公大)は2月10日、希薄窒化ガリウムひ素「GaAs1-xNx」化合物半導体に、フェムト秒のレーザーパルス光を照射して発生した、「コヒーレント縦光学フォノン」によるテラヘルツ波の波形を時間の関数として記録した結果、同物質特有の「電子有効質量」の増大によって電子-フォノン散乱が抑制され、フォノンの減衰時間が長くなる現象を発見したと発表した。