SK Hynix、EUVリソグラフィを採用した1a-nm DRAMの量産を開始

SK Hynixは7月12日、10nm台DRAMプロセスの第4世代にあたる1a-nmをベースにした8Gビット LPDDR4モバイルDRAMの量産をEUVリソグラフィを使って開始したことを発表した。

SK Hynixは、今回の1a-nmでのEUV適用の前に、前々世代の1y―nm DRAMのごく一部にEUVを用いることで技術検証を行っていたが、大量生産にEUVを適用するのは今回が初めてだという。また、1a-nmの具体的な配線のハーフピッチの長さを明らかにしていないが、業界では14nmとの見方が有力で、同社によると、前世代の1z-nmと比べて1a-nmでの製造は、同サイズウェハからの取れ数が25％増加するという。

同社では、2021年後半からスマートフォンメーカーに最新のモバイルDRAM製品として提供する予定だとしており、標準のLPDDR4モバイルDRAM仕様で最速の転送速度である4266Mbpsを安定して実行し、消費電力を20％削減することができるようになるとしている。

なお、DDR5 DRAMについては、2022年初頭より1a-nmプロセスでの生産を行う予定としている。