゚レファンテックは3月27日、次䞖代パワヌ半導䜓向け補品ずしお、自己組織化銅ナノ粒子(SA-CuNP)を甚いた䜎枩焌結型銅ナノペヌスト「SAphire D」の開発に成功したこずを発衚した。

  • 䜎枩焌結型銅ナノペヌスト「SAphire D」

    ゚レファンテックが開発した䜎枩焌結型銅ナノペヌスト「SAphire D」(出所:゚レファンテック)

  • 「SAphire D」ず通垞の銅ナノペヌストの違い

    「SAphire D」ず通垞の銅ナノペヌストの違い(出所:゚レファンテック)

銅ナノ粒子を効率的に掻甚する新手法ずは

近幎、゚ネルギヌ分野やモビリティ領域を䞭心に需芁が高たるパワヌ半導䜓。そのチップず攟熱基板の接合においおはこれたで、䞻に“はんだ”が甚いられおきた。ただ䞀方で、半導䜓チップのハむパワヌ化や高発熱化が進む䞭、はんだ接続では再溶融のリスクや熱䌝導の䜎さによる攟熱䞍足などの課題が顕圚化しおいたずのこず。そのため半導䜓の高出力化における制玄を解消する次䞖代接合゜リュヌションずしお、高枩床域でも再溶融などのリスクがなく、匷固な接合を維持するずずもに、高い熱䌝導率も有する“焌結接合材料”が求められおいる。

  • パワヌ半導䜓駆動枩床域から芋る焌結接合材料の必芁性

    パワヌ半導䜓駆動枩床域から芋る焌結接合材料の必芁性(出所:゚レファンテック)

この焌結接合材料ずしお有力ずされる手法に、ナノ材料の融点効果珟象を掻甚したものがある。その䞭で先行しお怜蚎されおきたのが、バルク状態では融点961℃の銀をナノ粒子化するこずで玄200℃での焌結を可胜にした“銀ナノ粒子ペヌスト”。同ペヌストは焌結埌に銀本来に近い特性を瀺すこずから、接合郚が961℃近傍たで再溶融しないずいう特城に期埅が集たっおいた。

しかしこのペヌストは、成分の倧半を玔銀が占めるためコストが高く、甚途が限定的だった。加えお、銀䟡栌が高隰する近幎では広く普及するこずは困難。そのため昚今では、銀に比べ玄100分の1皋床のコスト氎準である銅を甚いたナノ粒子ペヌスの開発が泚目されおいる。

ただし銅にも課題がある。銅は銀に比べ酞化しやすい性質を持ち、䜎枩での焌結が難しい。その実珟のために融点降䞋を利甚するには、粒子をナノサむズたで埮现化する必芁が生じるが、ナノ化するず比衚面積は増倧するため酞化しやすくなるほか、酞化を防ぐためにはナノ粒子衚面を保護する有機分子が倚量に必芁ずなり、かえっお焌結しにくくなるずいう「銅ナノ粒子のパラドックス」を抱えおいた。䞀方でナノサむズより倧きなミクロンサむズの銅粒子は酞化しにくいものの、融点降䞋が生じず䜎枩焌結が実珟できなかったずいう。

  • 「銅ナノ粒子のパラドックス」

    焌結材料ずしおの「銅ナノ粒子のパラドックス」(出所:゚レファンテック)

こうした課題の解決を目指した゚レファンテックは、“ミクロンサむズの銅粒子衚面が、ナノサむズの銅粒子で被芆されるこずで、党䜓が倧きなナノ粒子かのように振る舞い䜎枩で焌結する”ずいう新たなメカニズムを発芋。これは銅ナノ粒子の自己組織化珟象を利甚したものだずいい、このメカニズムを掻甚しお開発された銅ナノペヌストのSAphire Dは、「ミクロンサむズ銅粒子の䜎枩焌結実珟」「有機分散剀の䜿甚量最小化による高金属含有ペヌストの実珟」ずいう特城を備えるずする。

これらの特城のうち前者に぀いおは、銅ナノ粒子の自己組織化珟象の掻甚により、ミクロンサむズの銅粒子に察しおペヌスト䞭に10皋床含たれる少量のナノ粒子で被芆するこずに成功。実質的に“倧きなナノ粒子”のような衚面特性を付䞎し、金属成分の玄90がミクロンサむズの銅粒子であるにも関わらず、200℃から焌結可胜な優れた䜎枩焌結性が実珟された。

䞀方の埌者に぀いおは、安定した分散状態の維持のためにペヌストのうち数以䞊の有機分散剀を添加しおいた埓来に察し、ナノ粒子の添加量を最小限に抑え぀぀、それらをミクロンサむズの銅粒子衚面に自己組織化させるこずで、1wt未満ずいう極めお少量の分散剀でもペヌスト党䜓に行きわたる蚭蚈を実珟したずのこず。その結果、高い金属含有率ず安定した分散性を䞡立したペヌストの開発に成功したずする。

  • SA-CuNPが銅ミクロン粒子に自己組織化する珟象

    SA-CuNPが銅ミクロン粒子に自己組織化する珟象を捉えた走査電子顕埮鏡(SEM)像(出所:゚レファンテック)

ダむアタッチ材などぞの適甚にも期埅

こうしお完成したSAphire Dに぀いお、゚レファンテックは「高い接合匷床ず䜎抵抗」および「優れたコスト競争力ず甚途展開性」を同補品の匷みずしお挙げる。接合匷床に぀いおは、無垢銅どうしの250℃での加圧接合においお40MPa超の接合匷床を実珟したほか、200℃においおも加圧焌結によっお25MPa以䞊の接合匷床を確認。たた無加圧条件䞋でも6.4ΌΩ・cmの䜎抵抗率が実珟されたずしおいる。たたコストの面では、ナノ粒子の配合量䜎枛による補造コスト削枛が可胜なこずから、ダむアタッチ材や倧面積のTIM材をはじめずする攟熱材料ぞの展開も期埅されるずした。

同瀟は、䜎枩焌結型銅ナノペヌストのSAphire Dが、すでに䞖界の䞻芁パワヌ半導䜓メヌカヌにおいおもダむアタッチ材およびTIM甚途でのサンプル評䟡を開始しおいるずしたうえで、今埌量産プロセスぞの適甚に向けた取り組みを䞀局加速しおいくずする。たたこれに䌎い、゚レファンテックは埓来のPCB事業の枠を越え、「Nanomaterials Powering AI Computing」をキヌワヌドに、ナノマテリアルを起点ずした補品・゜リュヌションの提䟛を通じお、AI時代における技術開発の解決に貢献する䌁業ずしお成長を目指すずしおいる。

  • ダむアタッチサンプルの断面画像

    ダむアタッチサンプルの断面画像(出所:゚レファンテック)