STMicroelectronicsとSoitecは、SiCウェハ製造技術において協力することで合意したと発表した。

この協力関係によりSTは、SoitecのSmartSiC技術を将来的な200mmウェハ製造に採用し、中期的な量産を行うことによるデバイスおよびモジュールの増産を目指すこととなり、まずSTでは、SoitecのSiCウェハ製造技術の認証作業を今後18か月間で実施する予定だとしている。

今回の技術協力についてSTのオートモーティブ & ディスクリート製品グループ 社長であるMarco Monti氏は、「歩留りおよび品質の継続的な向上が狙い」と説明している。SoitecのSmartSiCは、同社独自のSmartCutプロセスをSiCに応用したもので、高品質のSiCドナー・ウェハを薄く分割し、低抵抗のポリSiCハンドル・ウェハ上に接着する技術。高品質のドナー・ウェハは再利用可能なため、製造全体において必要なエネルギー消費量を削減できるようになることから、SoitecではSiCの導入を加速させるうえで重要な役割を果たすものだと説明している。