昭和電工は3月28日、SiCパワー半導体に使用されるSiCエピウェハの材料である、6インチ(150mm)SiCウェハ(単結晶基板)の量産を開始したことを発表した。

  • 昭和電工のSiCウェハ

    SiCパワー半導体向け6インチSiCウェハ(出典:昭和電工)

SiCパワー半導体は、現在主流のシリコン製パワー半導体に比べて耐高温特性・耐高電圧特性・大電流特性に優れ、パワーモジュールの省エネルギー・高効率化、小型化に貢献することから、電動車や鉄道、産業機器など幅広い用途で急速に需要が拡大している。

昭和電工はこれまで、品質向上や安定供給体制構築の一環としてSiCエピウェハの製造に不可欠なSiCウェハの自社生産を検討しており、2010年から2015年にかけて経済産業省および新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の委託事業である「低炭素社会を実現する新材料パワー半導体プロジェクト」に技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構のメンバーとして参画したほか、2018年には新日鐵住金グループ(現:日本製鉄グループ)が保有するSiCウェハの関連資産を譲りうけ、量産技術の開発を継続してきたという。

今回、複数のクライアントに昭和電工製6インチSiCウェハを使用したSiCエピウェハが採用されたことを受け、6インチSiCウェハの量産を開始した。

同社は、今後も需要に応えるため、引き続きパートナー企業よりSiCウェハの調達を継続することで材料調達先の多様化を進め、SiCエピウェハの安定供給体制を構築していくとしてる。