化合物半導体の原子層エッチングを可能にする装置

京都の試作・開発用半導体製造装置メーカーであるサムコの原子層エッチング(ALE)装置「RIE-400iP-ALE」が豪アデレード大学から受注し、オーストラリアに初めて原子層エッチング(ALE)技術が導入されることになったと英国の化合物半導体専門ニュースメディア「Compound Semiconductor」が伝えている。

  • サムコの原子層エッチング装置「RIE-400iP-ALE」

    サムコの原子層エッチング装置「RIE-400iP-ALE」 (出所:サムコ)

それによると同システムはGaN、GaAs、InPなどのIII-V半導体材料の誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング(ICP-RIE)と原子層エッチングを可能にし、正確な原子層ごとの除去、エッチングの深さの制御と均一性、および表面損傷の低減により、次世代のナノスケール電子デバイスおよび光子デバイスの製作を可能にするものだという。

オーストラリア初の原子層エッチング施設が設立

同社のオーストラリア代理店であるEzzi Visionを通して発注され、2025年12月にサムコの京都工場から出荷される予定。同大学では、物理学、材料科学における強みを生かす形で、新しい量子材料およびデバイス製造研究所(Quantum Materials and Device Fabrication Lab)に設置する予定で、同大学フォトニクス・先端センシング研究所(Institute for Photonics and Advanced Sensing:IPAS)のアンディ・ボーズ氏は「オーストラリア初の原子層エッチング施設の設立は、私たちの研究コミュニティにとって大きな前進を意味している」とコメントしている。

また、同大に「Naional ALE Facility(国立原子層エッチング施設)」を設立するにあたって、オーストラリア研究会議(Australia　Research　Council:オーストリアにおける各種研究を支援する政府機関)のリンケージ・インフラストラクチャー機器および施設(Linkage Infrastructure, Equipment and Facilities:LIEF)部会より約66万ドルが支給されたという。

なお同システムの活用により、III-V族半導体材料を原子レベルで精密に加工できるようになり、量子技術、フォトニクス、ナノスケールエレクトロニクスの進歩につながり、これにより分野を超えた連携が加速し、半導体およびフォトニクス研究におけるオーストラリアの世界的な地位を強化することが期待されるという。