Nexperia、MOSFETの全動作温度範囲をカバーする新たな電熱モデルを発表

Nexperiaは3月24日(欧州時間)、自社のMOSFETデバイスに向け、-55℃から+175℃までの全動作温度範囲ですべてのデバイス・パラメータの熱相互依存性に対応する強化された電熱モデルをリリースしたことを発表した。

同モデルにはダイオードの逆回復時間とデバイスの電磁両立性(EMC)特性が含まれており、全般的な精度が向上したと同社では説明しており、これを用いることで、エンジニアは試作品の製作前に、回路とシステムレベルの正確なシミュレーションと、電気特性、熱特性、EMC特性の評価が可能になるとしている。また、これまでは最悪の条件下における動作確認の必要があったが、同モデルを用いることで特定の温度範囲での設計シミュレーションが可能になるため、時間とリソースの節減が可能になるともしている。

なお、同電熱モデルは、同社のインタラクティブなアプリケーション・ノートに続き、今後数か月以内にリリース予定のエンジニアによるエンジニアのための次世代サポート・ツール・シリーズの最新ツールに位置づけられているという。