AGCは11月28日、次世代の微細な半導体プロセスの実現に欠かせないEUV露光に向けたフォトマスクブランクスの供給体制を、2018年2月に発表した増強計画に加え、さらに追加実施することを決定したことを明らかにした。

現在、複数の半導体メーカーならびにファウンドリが先端の7nmプロセスにおいて、EUVの採用を計画している。EUVのマスクブランクスは、低膨張ガラス基板の表面に複数の組成から成る膜を積層したもので、マスクブランクスの表面に回路の原版を形成したものがフォトマスクとなる。

なお、今回の追加増強により、AGCのEUVマスクブランクスの生産能力は、2020年に現在の約3倍に引き上げられる予定だという。

  • EUVマスクブランクス

    EUVマスクブランクス