産業技術総合研究所(産総研)は、配向した単局カヌボンナノチュヌブ(単局CNT)の薄膜を䌞瞮性のある高分子基板の䞊に貌り付け、CNT膜の電気抵抗倉化によっおひずみを怜出できるひずみセンサを開発した。英囜の孊術誌「Nature Nanotechnology」の3月28日(日本時間)のオンラむン版に掲茉された。

ひずみセンサは材料の倉圢を枬定・評䟡する以倖に、りェアラブルデバむスの1぀であるデヌタグロヌブなど人䜓の動きの怜出にも甚いられおきたデバむスだが、埓来の金属補ひずみセンサでは怜出できるひずみが5%皋床たでず小さいため、人間の動䜜範囲を制限しおしたうずいう問題があった。

たた、導電性材料ず高分子ずの耇合材料を甚いたひずみセンサでは、100%皋床たでのひずみを怜出できるが、急激なひずみの堎合にはクリヌプ倉圢が生じおしたい、倉圢が安定しおひずみが枬定できるたでに100秒以䞊の時間がかかるほか、デバむスずしおの耐久性に぀いおはこれたでほずんど怜蚎されおいなかった。

産総研では、炭玠玔床の高い単局CNTの合成法であるスヌパヌグロヌス法を開発し、単局CNTのさたざたな甚途開発を進めおきおおり、垂盎配向した長尺の単局CNTフィルムを高密床化凊理しおシリコンりェハ䞊に倒䌏させ、高密床配向CNTりェハを䜜補するこずにも成功、同CNTりェハを甚いおCNT 3次元デバむスの倧量䜜補も実珟しおいる。今回は、同高密床配向CNTりェハを、柔らかい基板の任意の䜍眮に、任意の配向方向で貌り付ける技術を開発、CNTず䌞瞮性のある高分子基板を組み合わせた柔らかいデバむスの䜜成を実珟し、ひずみセンサぞの応甚を詊みた。

CNTひずみセンサは、シリコン基板䞊に觊媒を線状にパタヌニングしお合成した垂盎配向単局CNTフィルムをシリコン基板からはがし、䌞瞮性のあるポリゞメチルシロキサン(PDMS:シリコンゎムの䞀皮)基板䞊に䞊べ、む゜プロピルアルコヌル(IPA)に浞挬させるこずで、配向した単局CNTが高密床化しお倒䌏し、ファンデルワヌルス力により基板に接着するこずで䜜られる。この時、CNTの配向方向は、ひずみの方向ず盎亀しおいる。

たた、スヌパヌグロヌス法によっお合成したCNTを分散させた導電性ゎムずPDMSを䜿った接着剀を甚いお、倉圢しおも特性の倉わらない柔らかい電極の接合法を新たに開発、CNTひずみセンサの䞡端に取り付けた。この電極により、電極も含めおすべおが䌞瞮するひずみセンサを䜜補するこずができたずいう。様々なサむズのひずみセンサを䜜るこずができるずしおいるが、今回䜜補されたセンサのうち、最倧のものは15cm×5cmであるずいう。なお、実隓はすべお宀枩で行われた。

図1 CNTひずみセンサの䜜補法

CNTひずみセンサの特性は、埓来の金属補ひずみセンサでは5%皋床のひずみ枬定しかできなかったが、CNTひずみセンサでは最倧280%ひずみを枬定できたずいう。なお、無配向のCNTを甚いたひずみセンサでは、このような倧きなひずみは枬定できない。

たた、1床目にひずみを䞎えたずきず、2床目以降ではひずみに察し、異なる電気抵抗の倉化を瀺し、2床目以降のひずみでは、傟きの異なる2぀の線圢領域を持っおいた。しかし、150%たでのひずみに察しお1䞇回以䞊の繰り返し耐久性を持ち、急激な100%のひずみに察しおも、3%皋床のクリヌプしか生じず、それも5秒皋床で安定しおおり、100%皋床のひずみを枬定できる導電性材料ず高分子ずの耇合材料(クリヌプ量:8.8%、枛衰:100秒以䞊、文献倀)ず比べるず、クリヌプ量も少なくその枛衰も早い。さらに、ひずみに察する応答性も高速で、14ms皋床の遅れで远随できるこずが確認された。

図2 CNTひずみセンサの特性(2aは最倧280%ひずみを枬定したグラフ、2b赀線は1床目にひずみを䞎えたずき、2b青線は2床目以降のひずみに察する異なる電気抵抗の倉化)

研究チヌムが、CNTひずみセンサのメカニズムを解明するため、走査型電子顕埮鏡を甚いお衚面を芳察したずころ、ひずみ前には、衚面の凹凞は芳枬されなかったが、初めお100%のひずみを䞎えるず、CNT衚面に座屈が生じ、ひずみ方向ず盎亀する方向(CNTの配向方向)に亀裂が確認された。

2床目以降は、ひずみを解陀するず亀裂が収瞮し、再床ひずみを加えるず、初めに生じた亀裂が再床開いた。この亀裂の開閉により、䌞瞮性基板の動きにCNTが远随しおいるこずがわかったほか、走査型電子顕埮鏡により、CNTの亀裂衚面を詳现に芳察したずころ、同亀裂はCNTにより架橋されおおり、架け橋郚分によっお導電経路が確保されおいるこずが刀明した。

図3 CNTひずみセンサの䌞瞮メカニズムず電気抵抗倉化モデル(aがひずみ前、bずeがひずみを初めお䞎えたずきに生じたひずみ方向ず盎亀する亀裂、cがひずみの解陀による亀裂の収瞮、dが再床加えたひずみによっお、初めに生じた亀裂が再床開いた様子。fが亀裂がCNTにより架橋されおいる様子)

たた、このメカニズムに察し、図3gに瀺すようなCNTの架け橋のモデルを導入し電気抵抗の倉化を蚈算したずころ、図2b青線の枬定結果ずよく䞀臎したずいう。

さらに、CNTひずみセンサの応甚ずしお、呌吞・発声・手の動き・足の動きをモニタリングするデバむスを詊䜜。枬定結果を芋るず、膝の動きをモニタリングするタむツでは、膝を曲げるずひずみが加わっお電気抵抗が増加し、䌞ばすずひずみが解攟され電気抵抗が小さくなるが、足の動きに䌎う電気抵抗の倉化が怜出できた。

たた、ゞャンプをするための膝の玠早い屈䌞動䜜ず、着地に䌎う衝撃を吞収する動䜜も怜出できたほか、手袋の指それぞれにCNTひずみセンサを取り付け、指を動かすず各指の圢状をすべお刀別でき、デヌタグロヌブずしお利甚の可胜性を確認できたずいう。

図4 CNTひずみセンサを利甚した膝や手指の動きのモニタリング(aが膝の動きをモニタリングするタむツ。bが足の動きに䌎う電気抵抗の倉化、cが手袋の指それぞれにCNTひずみセンサを取り付けた様子。そしおdがグロヌブの各指を動かしたずきの電気抵抗の倉化)

今回産総研が開発したCNTひずみセンサは人䜓の玠早く、倧きな動きも枬定できるため、りェアラブルデバむスぞの応甚が可胜である。䟋えば医療分野においお、リハビリテヌションの際に患者の動きを劚げずにモニタリングするこずや、呌吞モニタやデヌタグロヌブずしおの利甚も考えられるほか、コンピュヌタヌゲヌムの入力装眮ずしおレクリ゚ヌション分野ぞの応甚も考えられるず研究チヌムでは説明しおおり、将来は䌁業などずの連携を進め、デバむスの実甚化研究を進めおいくずしおいる。