ルネサス エレクトロニクスは4月10日、スマートフォンなどの携帯機器等向けパワー半導体として、2mm×2mmの小型パッケージを採用した20V耐圧(VDSS)のセミパワーMOSFET「μPA2600」および30V耐圧品「μPA2601」を発表した。2012年4月よりサンプル出荷(サンプル価格130円)を開始するほか、同6月からの量産出荷を予定している。

大面積高性能チップを小型パッケージに配置し、ヒートシンク外出しのパッケージにより実装基板にパッケージの熱を効率よく外部に放熱することにより2mm×2mmの小型パッケージを実現。従来採用していた3mm×2mmのパッケージ比で約3割、同じく3mm×3mmのパッケージを使用していた場合と比べて約6割の実装面積削減が可能となる。また、μPA2600では9.3mΩ(4.5V時の標準値)、μPA2601でも10.5mΩ(10V時の標準値)と、2mm×2mmパッケージ品では業界トップクラスの低オン抵抗を実現している。

なお、同社では、多様化するアプリケーションに対応するため、今回の2mm×2mm小型パッケージを採用したセミパワーMOSFETとして、Pチャネル型とNチャネル型およびパッケージに1素子を搭載したものと2素子を搭載(デュアル・タイプ)したものの組み合わせによる6製品も併せて発表しており、2013年上期には、これら8製品合計で月産300万個の生産を計画している。

ルネサスの小型セミパワーMOSFET「μPA2600」と「μPA2672」