中大、CNTを使った半導体メモリNRAMの高速、低電力、高信頼動作を実証

中央大学(中大)は6月12日、カーボンナノチューブ(CNT)を用いた半導体メモリであるNRAMに最適な書き込み方法を提案し、140nmサイズの単体素子を測定して、高速、低電力、大容量、高信頼な基本的な動作を実証したと発表した。

同成果は、中大 理工学部の竹内健教授によるもの。詳細は、6月10～12日(現地時間)にハワイにて開催される「2014 VLSI Technology シンポジウム」で発表される。

今回のNRAMは、20ナノ秒の短い書き込みパルスで、20μA以下という高速かつ低電力な書き換えが可能。また、書き換え時には100倍以上の大きな抵抗の変化が得られ、1つのメモリセルに複数のビットを記憶する、大容量なMLC(多値記憶)動作の可能性を示した。さらに、信頼性に関してはフラッシュメモリの1000万倍に相当する、1000億(10¹¹)回の書き換えが可能であることを示したという。

今後は、10nmまで微細化し、ギガビット以上の統計データを評価することが必要だが、これらの結果は、将来NRAMがユニバーサルメモリとして、現在のメインメモリであるDRAM、メインストレージであるHDDやSSDなど、様々なメモリを置き換え、スマートフォンから企業向けサーバまで、幅広いIT機器の高速化、低電力化、高信頼化に貢献する潜在力があることを示しているとコメントしている。