Freescale Semiconductorは、GSM/UMTSやCDMA/W-CDMA、LTE、TD-LTEなどのワイヤレス基地局機器向けに高い性能を提供する第2世代Airfast RFパワー・ソリューションを発表した。

第2世代品は、28Vディスクリート・シングルステージ・パワー・アンプで構成される第1世代品の回路構成、ダイ、マッチング回路、パッケージ技術を活用・拡張したもので、最初の製品の1つで、720～960MHz周波数帯域のワイヤレス基地局アプリケーション向け300W非対称ドハティ・トランジスタである「A2T07H310-24S」は、ドハティ構成において、8dBのバックオフで効率50%を達成しつつ、55dBmのピーク電力、18.9dBのゲインを実現している。

また、第2世代品では、1パッケージに複数のゲインステージを組み込んだ2ステージ集積回路や、GaN、48V LDMOSといったプロセス技術をベースとする製品も追加された。

第2世代Airfastソリューションの第1段製品は、上述の「A2T07H310-24S」のほか、以下の製品が提供される。

  • 「A2T07D160W04S」:728～960MHz周波数帯域のワイヤレス基地局アプリケーション向け160Wデュアルパス・トランジスタ。ドハティ構成において、7dBの出力バックオフで51%の効率を達成し、52.5dBmのピーク電力、21.5dBより高いゲインを実現
  • 「A2T26H160-24S」:2496～2690MHz周波数帯域のワイヤレス基地局アプリケーション向け160W RF非対称ドハティ・トランジスタ。ドハティ構成において、8dBのバックオフで47%の効率を達成し、52.5dBmのピーク電力、15.7dBのゲインを実現
  • 「A2I25D012N」:2300～2690MHz周波数帯域のワイヤレス基地局アプリケーション向け12W RF集積回路。ドハティ構成において、8dBの出力バックオフで41%の効率を達成し、43.5dBmのピーク電力、29dBのゲインを実現
  • 「A2I22D050N」:2000～2200MHz周波数帯域のワイヤレス基地局アプリケーション向け50W RF集積回路。ドハティ構成において、8dBの出力バックオフで42%の効率を達成し、49dBmのピーク電力、28dBのゲインを実現

「A2I22D050GN」のパッケージ外観