SanDiskは2月14日(スペイン時間)、e.MMCインタフェースに対応した組み込みフラッシュドライブ(EFD:Embedded Flash Drive)「iNAND」および「iNAND Ultra」の次世代品を発表した。2011年第3四半期から提供を開始する予定。
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iNANDおよびiSSD(SATAデバイス向け製品)の64GB品のイメージ |
次世代iNANDシリーズは、24nm世代のプロセスを採用。これにより、パッケージサイズの小型化を実現しており、パッケージサイズは最大64GBの容量で12mm×16mmのJEDEC標準パッケージ(8GBまでのiNANDは11.5mm×13mm)を採用しながら、最薄製品で1mm、32GB品でも1.2mmの厚さを実現している。
また、iNANDには、同社の3ビット/セル(×3)NANDフラッシュ技術を使用し、iNAND Ultraには、2ビット/セル(MLC)のNANDフラッシュ技術を使用している。
なお、同社はiNANDが、主要チップセットベンダによる、次世代携帯電話機やタブレット端末開発向けのリファレンス設計に採用されたことも発表しており、今後もOEMの製品性能の最適化を目指し法人向けにサポートを行っていくとしている。
