Tower、日本でシリコンフォトニクス/SiGe半導体生産投資を計画　経産省が最大約1600億円を助成

この半導体ニュースのまとめ

・Tower Semiconductorが日本でシリコンフォトニクス(SiPho)、SiGe、先端光パッケージング能力を拡張
・経産省の供給確保計画では事業規模が約6000億円、最大助成額約1600億円を予定
・魚津工場と新井工場を活用し、AIデータセンター向け光接続需要に対応する300mm生産能力を強化

日本でSiPho/SiGeの300mm生産能力を拡大

Tower Semiconductorは7月14日、日本政府の支援を受け、日本国内で300mmシリコンフォトニクス(SiPho)、シリコンゲルマニウム(SiGe)、先端光パッケージング能力を拡大すると発表した。

同社は、ハイバリューアナログ半導体ソリューションを手掛けるファウンドリであり、SiPho、SiGe、BiCMOS、RF CMOS、CMOSイメージセンサ、パワーマネジメントなど、幅広い特殊プロセスを提供している。今回の拡張は、AIおよびデータセンター向けアプリケーションで高まる次世代光接続需要に対応するものと位置付けられる。

経済産業省(経産省)が公表した供給確保計画の概要によると、認定日は2026年7月14日で供給確保事業者はタワーパートナーズセミコンダクター(TPSCo)、Tower Semiconductor Japan、Tower Semiconductorで、対象品目は「従来型半導体(シリコンフォトニクス・シリコンゲルマニウム)」とされている。

魚津工場と新井工場を活用する2段階の拡張計画

Towerは今回の投資について、2つのトラックを並行して進める「デュアルトラック」の戦略的拡張だと説明している。

第1段階では、新潟県妙高市の新井工場(旧Fab 6)を300mmシリコンフォトニクスおよび先端パッケージング向けに再活用する。併せて、富山県魚津市のFab 7の300mm出力を最大化し、既存拠点を活用しながら迅速に生産能力を高める。第1段階のフル生産準備は2027年第4四半期を見込むとしている。

第2段階では、関連契約の締結・完了を前提に、魚津のFab 7に隣接する形で追加の300mm製造施設を建設する計画。この施設により、SiPhoおよびSiGeの生産能力を複数倍に拡大し、AIおよびデータセンター向けの光接続需要に対応するとしている。

Towerは、第1段階を踏まえて2028年の事業モデルを更新し、売上高36億ドル、純利益12億ドルの達成を目指すとしている。また、第2段階については、2029年から業績への寄与が大きくなる見通しとしている。

経産省の供給確保計画では最大1600億円を助成

経産省では、今回の安定供給確保の目標を光通信用半導体の国内生産能力の確保としており、新井工場ならびに魚津工場におけるシリコンフォトニクスの供給開始を2027年5月、SiGeの供給開始を2027年9月としている。生産能力については、300mmウェハ換算でシリコンフォトニクスが月産1万6000枚、SiGeが同2000枚としている。

供給開始日から10年以上の継続生産が予定されているとのことで、その取り組みに必要な資金は約6000億円、希望する支援措置は助成金交付で最大助成額は約1600億円としている。

ただしTower側の発表を見ると、投資規模については日本政府から提供される10億ドルの助成を差し引いた金額として約30億ドルと説明している。円建ての経産省資料とは前提や為替条件が異なる可能性があるが、いずれにせよ日本政府による大規模な支援のもと、Towerによる日本でのシリコンフォトニクス/SiGeの生産能力拡充が進められることとなる。

AIデータセンター向け光接続需要に対応

今回の拡張の背景には、AIデータセンター向け光接続需要の拡大がある。生成AIや大規模AIモデルの普及に伴い、GPUやAIアクセラレータ、メモリ、ネットワークスイッチの間で扱うデータ量は急増しているが、そうしたデータセンター内外の接続に、消費電力と帯域の両面から、光通信の活用ニーズが高まっている。

SiGeプロセスも高周波・高速アナログ/RF回路に適したプロセスとして、光通信やデータセンター、無線通信などで活用されているが、シリコンフォトニクスと併せて供給できるファウンドリは限られており、将来的な光接続ニーズに対して供給が追い付かなくなることが懸念されている。そうした状況を踏まえ、Towerは、シリコンフォトニクス、SiGe、先端光パッケージングを日本で一体的に強化することで、次世代の光接続ニーズに必要な製造基盤を拡大する考えだ。

日本での投資を促進

TowerのRussell Ellwanger CEOは、日本政府が戦略的に重要な技術の拡張を担う企業としてTowerを選定したことに感謝を示し、日本の製造力、研究機関、熟練した人材と、Towerの特殊プロセス技術を組み合わせることで、シリコンフォトニクス、SiGe、先端光パッケージングのグローバルに差別化された研究開発・製造センターを構築するとしている。

今回の投資では、魚津のFab 7、新井の旧Fab 6、そして将来的にFab 7隣接地に設ける追加300mm施設を組み合わせ、日本国内での量産能力と技術開発力を同時に強化する。

日本の半導体サプライチェーン強靭化にも寄与

経産省は経済安全保障推進法に基づき、半導体素子および集積回路、ならびにその生産に必要な原材料、部品、設備、装置などについて、供給確保計画の認定制度を運用している。対象には、パワー半導体、マイコン、アナログなどの従来型半導体、半導体製造装置、部素材、半導体原料などが含まれる。

今回のTowerの投資計画は、光通信用半導体の国内生産能力を確保する取り組みとして認定されたものとなる。先端ロジックやメモリとは異なる領域ではあるが、AIインフラを支える光通信デバイスや高周波アナログ技術は、今後のAIデータセンターならびにAIサーバのクラスタ化を考えれば、その重要性は増す一方になる。

日本では、TSMC(JASM)、Rapidus、Micron Technology、キオクシア、ソニーセミコンダクタマニュファクチャリングをいったデバイスメーカーのほか、各種材料・装置メーカーなどを中心に半導体投資が進んでいるが、今回の案件は、そうしたロジックやメモリ、CMOSイメージセンサなどとは異なる光通信・特殊プロセス領域での国内製造基盤を強化する点に特徴がある。

富山・新潟の地域半導体エコシステムにも波及

なおTowerでは、富山県および新潟県との長期的な関係を踏まえ、魚津および新井拠点への投資を通じて、地域の半導体インフラ、ローカルサプライチェーン、人材育成を強化するとしており、国内サプライヤや大学・研究機関との連携を深め、高度なエンジニアリング人材および製造人材の採用・育成を進める方針を示している。

経産省の供給確保計画でも、10年以上の継続生産、需給ひっ迫時の対応、継続投資、地域経済への貢献、雇用創出、技術流出防止措置などが求められており、単なる設備投資にとどまらず、地域産業基盤の強化も重要な要素となる。

AIデータセンターの拡大により、半導体には演算性能だけでなく、光通信、アナログ、高周波、パッケージングといった周辺技術の高度化も求められるようになってきた現在、Towerの日本拠点への投資は、そうしたAI時代の半導体需要に対し、日本国内の既存製造基盤を活用して応える取り組みといえる。