この半導体ニュースのまとめ
・Polar SemiconductorとIC-Link by imecが8インチGaNデバイスの製造で提携
・imecのGaN-on-Si技術を米ミネソタ州にあるPolarの工場へ移管
・当初は40~650Vを対象とし、AIデータセンターや自動車などの需要に対応
高電圧パワー半導体とセンサ技術を専門とする米国ファウンドリのPolar Semiconductorと、ベルギーimecの設計・製造サービス事業部門であるIC-Link by imecは、AIデータセンター、自動車、航空宇宙・防衛、産業用グリッドなどの重要な市場向けに、Polarによる8インチ(200mm)エンハンスメントモード(eモード)GaNデバイス生産で協力することを発表した。
この新たなサービスは、imecがGaN-on-Siプロセス、デバイス、エピタキシャル成長技術に関するライセンスをPolarに譲渡する契約に基づき、米国ミネソタ州ブルーミントンにあるPolarのファウンドリでeモードGaNデバイスを製造することで実現される。当初の契約では40Vから650Vの電圧範囲に焦点を当てているが、将来的にはデータセンターにおける800Vから12Vへの変換といった主要な市場動向に対応するため、より低い電圧やより高い電圧への拡張も予定されている。
試作から量産までを一貫して支援
顧客は、IC-Link by imecを通じて、このGaN技術に早期よりアクセスすることができるため、開発の加速とスムーズなフル製造サービスへの移行を容易に行うことができるようになるという。imecの技術とIC-Linkの設計・製造支援サービス、そしてPolarの製造能力と販売網が一体化する形で、両社の共通顧客基盤に対し、統合的なソリューションを提供できるようになるとする。
米国にGaNの研究・製造拠点を構築
Polarの会長であるレザ・カゼルニアン氏は、「今回の提携は、米国を拠点とするGaNセンター・オブ・エクセレンスを設立するというPolarの戦略と継続的な投資を強化するものであり、防衛、AI、自動車などの重要産業向け米国内サプライチェーンを強化する革新的なパワーテクノロジーを提供することになる。imecは、半導体イノベーションにおける世界クラスの専門知識とリーダーシップを有しており、PolarのGaNロードマップと技術開発の目標を加速させる理想的なパートナーである」と述べている。
一方のimecの最高研究開発プログラム・ポートフォリオ責任者であるトーマス・ピリシュチュク氏は、「imecは、15年以上にわたるGaNの研究開発に基づき、GaN技術をIC-Linkの設計から製造までの顧客支援サービス、そしてPolarの製造能力と組み合わせることに意欲を燃やしている。国際的なエコシステム全体にわたるパートナー企業との連携により、AIやデータインフラ、自動車、産業システム、航空宇宙、その他関連市場といった成長市場向けに、高効率・高速な電力ソリューションを迅速に実現できる、拡張性の高いGaN製品を提供できるようになる」と述べている。

