Micron Technologyは10月4日(米国時間)、米ニューヨーク州に巨大な最先端DRAMメモリ製造工場を建設する計画を発表した。

具体的には、ニューヨーク州クレイに、今後20年間で総額1000億ドルを投資。最終的には60万ft2のクリーンルームを有するファブを4棟建設(合計約240万ft2。アメリカンフットボール競技場40個分)する計画だという。このメガファブ群は、最先端DRAMの国内供給を増加させ、約9000人の直接雇用に加えて、ニューヨーク州での約5万人の間接雇用を創出するとしている。

  • Micronがニューヨーク州に建設するメガファブのイメージ

    Micronがニューヨーク州に建設するメガファブのイメージ (出所:Micron)

投資第1段として200億ドルを投じ2024年より建設を開始

今回のメガファブ群構想は、米国製の最先端DRAMの生産割合を今後10年間で同社の総生産量の40％まで引き上げるための戦略の一環だという。2029年末までに第1段階投資として200億ドルを投資する計画で、用地の整地作業を2023年より開始、建屋の建設を2024年より開始。DRAM生産量は、最初の10年間の後半より生産量を増加させていくほか、需要動向を見極めながら、その後も生産量を徐々に増加させていくとしている。

Micronは、DRAMの生産拠点を米国内に置くことは、米国の顧客に多大な利益をもたらし、顧客は安全で地理的に多様なサプライチェーンを利用できると説明しているほか、米国の技術的リーダーシップと経済および国家安全保障を強化し、今後数十年にわたり米国のイノベーションと競争力を推進することで、半導体業界を超えて米国に利益をもたらすとしている。