onsemiがGFと次世代GaNパワーデバイス開発で協業、650V製品のプロセス開発を開始

onsemiは12月18日(米国時間)、GlobalFoundries(GF)と協業し、GFの200mm eMode GaN-on-siliconプロセスを使用した高度GaNパワーデバイスの開発・製造を行うことを発表した。

第1弾製品は2026年前半よりサンプル供給を開始予定

まず第1弾としてonsemiでは、重要市場向け200mm eMode横型GaN-on-Siliconのプロセス技術開発を650V製品で開始するとしており、今回の提携が、自社の高性能GaNパワーデバイスおよび統合型パワーステージのロードマップを加速させ、AIデータセンター、電気自動車、再生可能エネルギー、産業システム、航空宇宙、防衛、セキュリティ分野で増大する電力需要に対応する高電圧製品のポートフォリオ拡充につながると説明している。

具体的には、自社のシリコンドライバ、コントローラ、熱特性が強化されたパッケージをGFの650V GaN技術プラットフォームと組み合わせ、より高い電力密度と効率を備え最適化されたGaNデバイスを提供するとしており、これにはAIデータセンター向け電源やDC-DCコンバータ、電気自動車向けオンボードチャージャやDC-DCコンバータ、ソーラーマイクロインバータやエネルギー貯蔵システム、産業および航空宇宙、防衛、セキュリティ用途向けのモータードライブやDC-DCコンバータが含まれるとする。

また、この提携を通じたポートフォリオの拡充によりonsemiは、低、中、高電圧の横型GaNから超高電圧の縦型GaN(vGaN)まで、GaN技術のあらゆる領域をカバーできるようになり、システム設計者はGaNの高周波動作、双方向機能、単一パッケージへの複数機能の統合といったメリットを享受できるようになり、より小さなスペースでより大きな電力を供給する次世代パワーアーキテクチャーを構築できるようになるとしている。

なお、このonsemiの各種GaNを活用したシステムおよび製品に関する専門知識とGFの先進的なGaNプロセスを融合させた650V製品は2026年前半よりサンプル提供が開始される予定だという。