日本が米国の半導体工場に最大210億ドルを投資、GFが300mmファブ2棟を新設・運営へ

この半導体ニュースのまとめ

・日本が米国ニューヨーク州の半導体工場建設に初期約100億ドル、最大210億ドルを投資
・GFが300mmファブ2棟の技術提供と運営を担当、1棟目は2029年の稼働開始を予定
・東京エレクトロンが装置・技術面で協力し、ルネサスは新生産能力を自社の生産基盤として活用

GlobalFoundries(GF)は10月14日(米国時間)、日米政府の戦略的投資イニシアチブに基づき、米国ニューヨーク州マルタに建設される300mmウェハ対応の半導体工場2棟の技術提供者および運営者に選定されたことを発表した。

同イニシアチブに基づく初の半導体分野への投資で、日本側が投資資金を提供し、GFが差別化された半導体技術、製造ノウハウ、工場運営能力を提供する。

事業総額は最大210億ドル規模。まずは初期投資として約100億ドルを投じ、GFの既存工場「Fab 8」があるニューヨーク州マルタ拠点に、1棟目となる300mmファブを建設する。

同ファブは許認可を取得済みの用地に2026年内に着工し、2029年の稼働開始を予定する。さらに約100億ドルの追加投資が実施された場合には、2棟目のファブも建設する計画だ。

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  米国ニューヨーク州マルタにあるGlobalFoundriesの既存半導体工場「Fab 8」。同拠点に300mmファブを最大2棟新設する計画 (出所:GlobalFoundries)

最大で年間約180万枚の300mmウェハ生産能力を追加

1棟目のファブは、完全稼働時に年間約90万枚の300mmウェハ生産能力を新たに米国内へもたらす見込み。第2フェーズが実現した場合には、2棟目によって年間最大約90万枚が追加され、2棟合計で年間最大約180万枚の生産能力となる。

建設予定地では既存のGFマルタ拠点のインフラも活用できるため、新たな拠点をゼロから建設する場合と比べて工期の短縮が見込まれる。

新たな製造能力は、自動車、産業機器、通信インフラなどで使用される基盤的な半導体の需要に対応する。今回の発表では、新ファブへ導入する具体的なプロセス技術や製品構成は明らかにされていない。

GFによると、プロジェクトに伴い、建設および周辺の半導体エコシステムで約2万7000人、ニューヨーク州キャピタル地域の製造現場で1000人を超える高度人材の雇用創出を見込むという。また、ニューヨーク州も半導体産業を支援する「Green CHIPS」プログラムを通じてプロジェクトを支援するとしている。

東京エレクトロンが新ファブの立ち上げに協力

同プロジェクトには、日本の半導体製造装置メーカーや半導体メーカーも参画する。

GFは、世界各地の製造拠点で長年にわたって協業してきた東京エレクトロン(TEL)と、新ファブの立ち上げでも連携する方針を示している。具体的な納入装置や契約規模は明らかにされていないが、TELの製造装置やプロセス技術を活用してプロジェクトが進められる見通しである。

投資が最大210億ドルまで拡大し、300mmファブが2棟建設されれば、製造装置だけでなく、半導体材料や工場設備などを手掛ける日本企業にとっても事業機会が生まれる可能性がある。

ルネサスは新ファブを自社の生産基盤として活用

車載および産業機器向け半導体でGFと協業してきたルネサス エレクトロニクスも、新ファブの生産能力を活用する予定としている。ルネサスの取締役 代表執行役社長 兼 CEOである柴田英利氏は、GFの発表に際し、この新設される生産能力を、自社の生産フットプリントの延長として位置付けるとコメントしている。

電動化やコネクティビティに加え、AIやデータセンター向け需要が拡大する中、ルネサスとして自社工場を補完する米国内の製造基盤の確保となり、米国顧客への半導体製品の供給がこれまで以上に容易化されることが期待できるようになる。

AppleやGMも米国での能力拡大を支持

GFのリリース文にはルネサスやTELのほか、Apple、Cirrus Logic、General Motors(GM)からも、新ファブによる米国内の半導体製造能力拡大に対する支持コメントが出されている。例えばAppleは、米国内投資に向けた6000億ドルのコミットメントの一環として、GFと米国内でApple製品に使用する半導体を生産していると説明している。また、Cirrus Logicは、次世代ミクスドシグナル製品に必要な米国内の製造能力へのアクセスを確保できるとしている。GMとしても、自動車のアーキテクチャが変わる中、車載AIの展開を図っていくためには、強靭な半導体サプライチェーンを構築することが必要としており、それが米国内でできることは、米国の製造業を強化することにつながる取り組みとなると説明している。

シリコンフォトニクスや先端パッケージングへの投資をGFが加速

GFは今回の日米のイニシアチブに基づく新ファブ計画とは別に、米国商務省との間で、CHIPS and Science Act(CHIPS法)に基づく既存の支援内容を変更することでも合意したことを同時に明らかにし、併せて米国商務省がGFの株式を約4％取得するという合意もなされたことも明らかにされた。

支援額のうち9億5500万ドルを再配分し、ニューヨーク州マルタとバーモント州バーリントンの拠点におけるシリコンフォトニクス、シリコンゲルマニウム(SiGe)、先端パッケージングへの投資を加速するという。

これらの技術は、通信インフラやデータセンター向けの半導体で重要性が高まっており、特にAIシステムでは、プロセッサやメモリ間で大量のデータを高速かつ低消費電力で移動させる必要があり、光通信機能を半導体へ統合するシリコンフォトニクスの活用が期待されている。

日米の半導体供給網を地理的に分散

今回の投資は、半導体製造能力が特定の国・地域へ集中することによる地政学リスクや自然災害リスクを抑え、日米の半導体サプライチェーンを地理的に分散させることにつながることが期待される。また、米国内に生産・組立拠点を持つ日本の自動車メーカーや電機メーカーにとっても、現地で調達できる半導体の供給能力が拡大することで、米国内のサプライチェーンを強化できる可能性がある。

今回の計画で示された300mmファブ2棟の建設と量産立ち上げを計画通り進められるかに加え、日本の製造装置・材料メーカーがどこまで参画し、日米双方の半導体供給網強化へつなげられるかが今後の焦点となると思われる。