三菱電機、トレンチ型SiC-MOSFETチップのサンプル提供を1月21日より開始

パワーエレクトロニクス機器への組み込みニーズに対応したSiC-MOSFETチップのサンプル提供を開始

三菱電機は1月14日、1月21日よりさまざまなパワーエレクトロニクス機器への組み込みニーズに対応可能な4品種のトレンチ型SiC-MOSFETチップのサンプル提供を開始することを発表した。

トレンチ型SiC-MOSFETを製造したウェハ(左)とサンプル提供が開始されるチップ(右)のイメージ (出所:三菱電機)

独自構造の採用で電力損失の低減と長期間使用時の品質安定性を向上

さまざまな機器の電気・電子化に伴い、電力変換や制御を担うパワーエレクトロニクス機器の市場拡大が期待されているが、市場の拡大とともに、例えば電気自動車(EV)のトラクションインバーターや、太陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システムなどにおいては、性能や品質の向上に向けさまざまな仕様が増えており、それに伴う形でそうした機器に用いられるパワー半導体についてチップとして組み込む要望が増えているという。

今回サンプル提供を開始するトレンチ型のSiC-MOSFETチップは、そうした組み込みニーズに対応することを目的に開発されたもので、同社の既存のトレンチ型SiC-MOSFETチップと同様、独自構造を採用することで、プレーナー型SiC-MOSFETと比較して電力損失を約50％低減することが可能なほか、独自のゲート酸化膜製法などの製造プロセス技術により、電力損失やオン抵抗などの変動を抑制し長期間使用時における品質の安定性を実現できるとする。

4品種展開でさまざまな組み込みニーズに対応

同社では、これらの技術を適用した仕様の異なる4品種のパワー半導体チップをラインアップすることで、EVのトラクションインバーターやオンボードチャージャー、太陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システムなどさまざまなパワーエレクトロニクス機器などへの組み込みが可能となることから、機器の低消費電力と性能維持に貢献していきたいとコメントしている。

なお、同製品は1月21日から23日にかけて東京ビッグサイトにて開催される「第40回ネプコンジャパンエレクトロニクス開発・実装展」のほか、北米、欧州、中国、インドなどで開催される各種展示会に出展する予定だという。