ロームのSiC MOSFETがシェフラーの中国向け高電圧インバータブリックに搭載

ロームは9月9日、同社のSiC MOSFETベアチップを搭載した中国自動車メーカー向け高電圧インバータブリックの量産を独シェフラー(旧Vitesco Technologies)が開始したと発表した。

  • 量産が開始されたインバータブリック

    量産が開始されたインバータブリック (出所:ローム)

同インバータブリックは、電気自動車(EV)の効率と性能を左右する電動パワートレインの中核を担う重要部品で、EV向けトラクションインバータとして一般的な800Vを上回る最大バッテリー電圧に対応し、最大電流650Armsを実現するものだという。

インバータブリックは2020年から継続してきたパートナーシップの成果

ロームとシェフラーは2020年より戦略的パートナーシップを構築しており、2023年にSiCパワーデバイスに関する長期供給契約を締結するなど、EVの性能向上に向けた協力体制を推進してきた。今回のインバータブリック量産開始は、そうした協業の取り組みが着実に成果をあげていることを示すものであり、ロームのSiC技術を活用することで、高効率かつ高出力でありながら、コンパクトな設計を実現した製品となったとロームでは説明している。

またシェフラーでは、eモビリティソリューションにおいて、スケーラビリティとモジュール性を取り入れる戦略的アプローチにより、個別部品から高集積型電動アクスルまで対応できるインバータブリックを開発したとしており、汎用プラットフォーム開発を基盤とすることで、中国で普及するX in 1アーキテクチャ向けに最適な製品を、1年ほどで量産化できたと説明している。

なお、今回搭載されたのはロームの第4世代SiC MOSFETだという。