650V対応のGaNスイッチを発売

Infineon Technologies(インフィニオン テクノロジーズ)は、双方向の電圧と電流をアクティブにブロックできるGaNスイッチ「CoolGaN双方向スイッチ(BDS)650V G5」を発表した。

  • 「CoolGaN双方向スイッチ(BDS)650V G5」

    「CoolGaN双方向スイッチ(BDS)650V G5」のパッケージ外観 (出所:Infineon)

同製品は、ダブルゲート構造を持つ共通ドレイン設計を採用し、独自のゲート注入トランジスタ(GIT)技術とCoolGaN技術によって実現されるモノリシック双方向スイッチを提供することで、コンバータにおいて一般的に使用される従来のバックツーバック構成の効率的な代替品として機能することが可能だという。

また、電力変換システムに対して、2つのスイッチを1つのデバイスに統合することにより、サイクロコンバーターのトポロジー設計が簡素化でき、単一ステージでの電力変換が可能となり、複数の変換ステージを不要とする。これにより効率が向上し、信頼性が高まり、設計をよりコンパクトにすることを可能とするという。また、BDSベースのマイクロインバーターは電力密度が高く、部品数が減るため、製造の簡素化とコストの削減という恩恵を得ることもできるとするほか、無効電力補償や双方向オペレーションなどの高度なグリッド機能もサポートするともしている。

高電圧を扱うさまざまなアプリケーションに適用可能

主な適用アプリケーションとしては、マイクロインバーター、エネルギー貯蔵システム(ESS)、電気自動車(EV)、モーター制御、AIデータセンターなどを想定しているという。

なお、同製品は、すでにソース・ソース間オン抵抗55mΩならびに110mΩ品のサンプル提供が可能なほか、注文も開始済みとしている。