車載/産業機器向け750V耐圧で4mΩのオン抵抗を実現したSiC MOSFET

Infineon Technologies(インフィニオン テクノロジーズ)は、車載および産業用電力変換アプリケーションのシステム効率を向上させ、電力密度を向上するように設計された750V耐圧のSiC MOSFETとなる「CoolSiC MOSFET 750 V G2」を発表した。

  • 「CoolSiC MOSFET 750 V G2」

    「CoolSiC MOSFET 750 V G2」のパッケージ外観イメージ (提供:Infineon)

同製品シリーズは、独自のトップサイド冷却(上面放熱)Q-DPAKパッケージを採用することで最少4mΩというオン抵抗を実現しており、オンボード チャージャー(OBC)、DC-DCコンバーター、電気自動車(xEV)用補助装置のほか、EV充電、ソーラーインバーター、蓄電システム、通信、SMPSなどの産業用アプリケーションを含む幅広い機器におけるeFuse、高電圧バッテリ切断スイッチ、ソリッドステートサーキットブレーカー、ソリッドステート リレーなどのアプリケーションに最適だと同社では説明する。

また、同テクノロジーは、優れたRDS(on)×QOSSおよびクラス最良のRDS(on)×Qfr性能指数も示しているとのことで、ハードスイッチングとソフトスイッチングの両トポロジーにおけるスイッチング損失の削減を可能とし、ハードスイッチングのユーザー事例で優れた効率を発揮するとしているほか、ゲート電荷の低減によってスイッチングの高速化とゲートドライブ損失の低減を可能にし、高周波アプリケーションでの効率を向上させるともしている。

さらに、25℃で4.5Vというしきい値電圧VS(th),typと低QGD/QGS比の組み合わせも提供することで、寄生ターンオン(PTO)に対する堅牢性を強化するほか、ゲート駆動能力も拡張するため、最大-7Vの静的ゲート電圧と最大-11Vの過渡ゲート電圧に対応することで、より大きな設計マージンをエンジニアに提供するという。

AEC Q101やJIDEC規格にも準拠

このほか、車載グレード部品に対するAEC Q101規格と産業グレード部品に対するJEDEC規格に厳密に準拠しているため、安全性が重要な車載用途における信頼性と長寿命化への取り組みを強化することも可能だとしている。 なお、CoolSiC MOSFET 750 V G2のQ-DPAKパッケージを採用した4/7/16/25/60mΩのサンプル品はすでに注文可能な状況となっているという。