SK Hynixは一部のDRAMラインをロジックに転換

DRAMトップのSamsungの2022年の目標は、引き続き生産能力の拡張を図るというものであり、DRAMについては2023年半ばに新しいP3Lファブ(韓国平澤事業所内)が稼働する予定のほか、DDR5への注力を進めていく模様であり2022年後半にも、PCおよびサーバー向けDDR5の生産割合が増加すると予想されている。

一方の韓国勢であるSK Hynixは、M16ファブ(韓国利川市本社工場内)と中国の無錫ファブのウェハ投入数量をわずかながら増加させているものの、M14ファブ(本社工場内)は一部のラインをDRAMからロジックへと移行させ、DRAMウェハの投入量を減らしたことで、全体でのウェハ投入量は微増にとどまったという。技術面では、すでに1α-nmプロセスでの少量生産を開始しており、年末までに一定の生産規模を達成することが期待されるという。

Micronは現状、生産能力の拡張を行っておらず、2021年に拡張工事を終えた台湾A3ファブの貢献は早くても2024年になる可能性があるという。同社は2021年後半に1α-nmプロセスを導入済みで、1β-nmプロセスも2023年前半より開始可能であり、3大DRAMメーカーの中でもっとも早いペースで微細化を進める見込みだという。