Lam Researchは12月7日(米国時間)、車載、電力供給やエネルギー業界で使用される次世代のパワー半導体デバイスやパワーマネージメントICを開発する半導体メーカー向けに、ディープ・シリコン・エッチングが可能なドライエッチング装置「Syndion GP」を発表した。
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Lam Researchのディープ・シリコン・エッチング装置「Syndion GP」
パワー半導体分野では、チップレベルで高電力、高性能、高密度に対する要求が増しており、より高いアスペクト比構造の実現に向け、ウェハ間でより高い均一性が求められるようになっている。この実現には、微細かつ均質なディープ・エッチング・プロセスが必要であり、同装置は、そうしたニーズに対応することを目的に開発したという。
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不均質なディープ・シリコン・エッチング(左)と最適化された均質なエッチング(右)
また、200mmウェハのみならず300mmウェハにも対応できるため、現在、複数のパワー半導体メーカーが300mmでの製造を推進するニーズにも対応できるとしている。
