東京農工大学(農工大)は10月29日、スマートフォン(スマホ)の赤外線センサや発振器などで使われているMEMS素子の機械的非線形性を熱効果により低減し、素子の信号対雑音(SN)比を10倍以上増大させることに成功したと発表した。
同成果は、農工大大学院 工学研究院 先端電気電子部門の張亜准教授、農工大工学府 電気電子工学専攻の吉岡佑理大学院生、農工大工学部 電気電子工学科の飯森未来大学院生、北京工業大学の劉シン准教授、東京大学 生産技術研究所の邱博奇氏、同・平川一彦教授らの共同研究チームによるもの。詳細は、応用物理学を扱う学術誌「Applied Physics Letters」に掲載された。
MEMSは、半導体のプロセス技術を用いて作られる微細なデバイスで、現在では加速度センサや赤外線センサなどとしてさまざまな電気製品で用いられている。
しかしMEMS素子では、「機械的非線形性」と呼ばれる、振幅の大きさによって共振の周波数が変動してしまう現象が生じ、それが理由で振動振幅を数十nm程度に抑える必要があり、その結果として、MEMS素子を用いた計測において、SN比が制限されてしまうという課題があったという。
そこで研究チームは今回、MEMS梁に薄膜抵抗を作製し、それを利用してMEMS梁を電気的に加熱することによって、MEMS梁の非線形性を低減することを試みたという。その結果、非線形が制御されたMEMS素子においては、線形領域の振動振幅が、非線形性を制御していないMEMS素子と比べて、10倍以上に増大できることを確認したという。
この非線形性制御効果の物理的機構は、熱応力によるMEMS梁の座屈効果であり、これにより振動振幅が大きくなると共振周波数が減少する「ソフニング非線形性」をMEMS共振にもたらすことで、MEMS梁に本来存在するハードニング非線形性が補償され、全体的非線形性が低減されることになるという。
研究チームでは、今回の成果を活用することで、MEMS素子の非線形性を強く抑制し、MEMS素子のSN比を向上させることが実現されることとなるため、超高感度センシングへの応用展開が期待できるとしている。