ST、電力供給アプリの消費電力と基板面積を削減できる低抵抗パワーMOSFETを発表

STMicroelectronics(STマイクロエレクトロニクス)は、独自開発の次世代技術を活用することで導通損失と小型ダイサイズを実現した、車載機器の配電やバッテリ管理など、スペースに制約のあるアプリケーションに最適な低オン抵抗(RDS(on))のパワーMOSFETシリーズを発表した。

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  第一弾製品「STL059N4S8AG」の活用イメージ (出所:STMicroelectronics)

第一弾製品として40V/420A対応品の量産を開始

第一弾製品は0.59mΩのオン抵抗を実現し、PowerFLAT 5×6パッケージで提供される40V/420A Nチャネル・エンハンスメント・モードMOSFET「STL059N4S8AG」で、コンパクトなパッケージにより基板面積を削減し、小型制御モジュールの設計を簡略化しながら、高い熱伝導性と高効率な電力消費により、厳しい信頼性要件にも適合するという。また最高動作温度は175℃まで拡張されているほか、AEC-Q101に準拠する車載対応品であり、車載機器の組立工程で採用されている自動光学検査に対応するウェッタブル・フランク・パッケージを採用したとしている。

採用された独自技術である「Smart STripFET F8テクノロジー」は、従来のSTripFET F8をベースにトレンチゲートを改良することでオン時の特性とサイズ効率を強化したもの。同社では、導通損失を最小化することが全体的な効率を改善するための鍵となるアプリケーションに最適だとするほか、大電流の配電に適しており、回路遮断を調整可能なSTi²Fuse VIPowerゲートドライバと効果的に組み合わせることで、PCB回路基板やコネクタ、配線を保護することを可能にすると説明している。

同社では、Smart STripFET F8 MOSFETを活用することで、車載用アプリケーションにおける消費電力の削減による走行距離の延長や、電池セルの状態のモニタリング、バランシング、保護を主要な役割とするバッテリ・マネージメント・システム(BMS)では、MOSFETの低オン抵抗によりバッテリの充放電中の効率向上が可能だとしている。

なお、同製品はすでに量産中で、電流定格350A、オン抵抗0.75mΩの「STL075N4S8AG」および電流定格780A、オン抵抗0.35mΩの「STK035N4S8AG」も順次リリース予定としている。