ST、第2世代MasterGaNハーフブリッジファミリ「MasterGaN6」を発表

第2世代MasterGaNパワーICの新製品

STMicroelectronics(STマイクロエレクトロニクス)は、第2世代MasterGaNハーフブリッジファミリとして、最新のBCD(Bipolar CMOS DMOS)ドライバと、オン抵抗RDS(on)140mΩのGaNパワートランジスタを集積したパワーSiP製品「MasterGaN6」を発表した。

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  「MasterGaN6」のパッケージイメージ (出所:STMicroelectronics)

同製品は、フォルト検出やスタンバイ機能などの専用ピン数を増加するなど機能が拡張されており、それによりスマートなシステム制御と消費電力の削減を実現すると同時に、LDOとブートストラップダイオードの内蔵による外付け部品の削減と駆動の最適化を実現したという。

また、高速タイミング技術の採用により、最小オン時間と伝搬遅延を短くしたことで高周波数動作を可能としたほか、回路面積を小さくすることも可能としたとする。さらに、高速なウェイクアップ時間がバーストモード動作を強化し、低負荷時の効率を最適にすることができるとするほか、貫通電流の防止や過熱シャットダウン、超低電圧ロックアウトなどの包括的な保護機能の内蔵により、部材コストの低減や回路レイアウトの簡略化も可能だとする。

最大10Aの電流を処理可能

最大10Aの電流を処理することが可能で、充電器やアダプタ、照明用電源、太陽光発電設備用DC-AC小型インバータなど、コンシューマ機器のほか、産業用機器向けにも適用が可能。同社ではハーフブリッジ構成について、アクティブ・クランプ・フライバック(ACF)回路や共振LLC回路、反転出力の降圧コンバータ、力率補正回路(PFC)など、多様な回路トポロジに最適だと説明している。

なお、同製品はすでに量産中で9mm×9mmのQFNパッケージで、1000個購入時の単価が約4.14ドルで提供されている。また、評価ボード「EVLMG6」も提供済みとするほか、eDesignSuiteのPCB熱分布シミュレータへモデルを追加済みとしている。