InfineonのSiCパワー半導体をトヨタがBEVに採用
Infineon Technologies(インフィニオン)は2月9日、トヨタ自動車の電気自動車(BEV)である新型「bZ4X」にインフィニオンのSiCパワー半導体製品「CoolSiC MOSFET」が採用されたことを発表した。
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トヨタの新型(改良型)「bZ4X」 (提供:Infineon)
CoolSiC MOSFETは、車載充電器(OBC)およびDC/DCコンバーターに搭載され、SiCの特性である低損失、高耐熱、高耐圧により、航続距離の延伸と充電時間の短縮を提供するという。
具体的には、独自のトレンチゲート構造を採用することで、規格化オン抵抗の低減およびチップサイズの縮小を実現しているほか、導通損失とスイッチング損失も抑制しており、車載電源システムの高効率化を図ることを可能とする。さらに、寄生容量およびゲートしきい値電圧を最適化によりユニポーラゲート駆動を可能にし、車載電動ユニットのドライブ回路を簡素化できるため、OBCおよびDC/DCコンバーターの高密度化・高信頼性設計を可能としたとする。
なお、同社エグゼクティブ・バイス・プレジデント兼オートモーティブ・チーフ・セールス・オフィサーのピーター・シェイファー(Peter Schaefer)氏は「航続距離、エネルギー効率および性能を高めるSiCテクノロジーは、未来のクリーンなモビリティに非常に重要な役割を果たす。インフィニオンは、イノベーションとゼロディフェクト(不良品ゼロ)品質への取り組みとコミットメントを通じて、電動車のパワーエレクトロニクスへの需要の高まりに応えていく」とコメントしている。
InfineonのSiCパワー半導体、トヨタが新型bZ4Xに採用
