キオクシア、QLCベースのUFS 4.1組み込みストレージのサンプル出荷を開始

QLCベースのUFS 4.1製品のサンプル出荷を開始

キオクシアは1月28日、QLC技術を採用したUFS 4.1規格対応の組み込みフラッシュストレージ製品のサンプル出荷を開始したことを発表した。

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  QLCベースのUFS 4.1製品の外観イメージ (出所:キオクシア)

同製品は、同社の第8世代BiCS FLASH 3D NAND技術を活用することで、リードインテンシブのアプリケーションおよび大容量ストレージ向けに設計されたもの。同社ではスマートフォン(スマホ)やタブレットといったモバイル機器のみならず、PC、ネットワーク機器、AR/VR、IoT、AI対応デバイスなどでも活用可能だと説明している。

512GBと1TBの2製品をラインナップ

容量としては512GBおよび1TB品がラインナップされており、コントローラ技術とエラー訂正能力の向上による性能向上を達成したとする。具体的には、書き込み性能を向上させるWriteBoosterをサポートすることで、前世代品となる第6世代BiCS FLASHを採用したQLCベースのUFS 4.0製品と比べて512GB品でシーケンシャルライト性能を約25％、ランダムリード性能を約90％、ランダムライト性能を約95％向上したとするほか、書き込み増幅率(WAF)は最大3.5倍の改善が可能だとする(WriteBooster無効時)。

なお、パッケージサイズは、従来のQLCベースUFS製品では11mm×13mmであったが、9mm×13mmへと小型化を実現したとしている。