四半期別で過去最高の業績を達成

SK hynixは10月29日、2025年第3四半期(7〜9月期)の決算を発表した。それによると連結売上高は前年同期比39.1％増の24兆4489億ウォン、営業利益は同61.9％増の11兆3834億ウォン(営業利益率47％)、純利益が同119％増の12兆5975億ウォン(純利益率52％)といずれも過去最高を更新したという。

DRAMおよびNANDの価格上昇の本格化に加え、AIサーバー向け高性能製品の出荷増加が牽引し、四半期ベースで過去最高の業績を達成し、中でも営業利益は、創業以来初めて10兆ウォンを超えたとする。

  • SK hynixの2025年第3四半期の決算概要

    SK hynixの2025年第3四半期の決算概要 (出所:SK hynix)

AIサーバーの需要増を背景に12層HBM 3EやサーバDDR5などの販売が増加。中でも128GB以上の大容量DDR5の出荷量は前四半期比2倍以上の増加となった。NANDも価格プレミアムが付くAIサーバ向けeSSDの割合も拡大したという。

推論市場の拡大で今後も成長期待

同社によると、AI市場が推論主導型ワークロードへと急速に移行するにつれ、AIサーバーの計算負荷を汎用サーバーなどのより広範なインフラストラクチャに分散させることへの関心が高まっており、この傾向は、高性能DDR5やeSSDを含むメモリポートフォリオ全体の需要をさらに拡大すると予想されるとする。

また、世界の主要AI企業による戦略的提携やAIデータセンター拡張の発表が相次いでいることが、AI市場のさらなる弾みとなっており、この動きにより、HBMだけでなく、汎用サーバー向けメモリソリューションを含むさまざまな製品ラインにおいて、バランスの取れた需要成長が期待されるとの見方を示している。

この動きに対し、同社はすでに安定的に量産されている最先端の10nmプロセスの第6世代となる1c-nm DRAMプロセスへの移行を加速させる計画で、1c-nmプロセスによるサーバー、モバイル、グラフィックス用途にわたるDRAMのフルラインナップを確立し、供給拡大を通じて顧客ニーズに柔軟に対応できるようになるとするほか、NANDも、321層TLCおよびQLC製品の生産量を拡大することで、顧客ニーズにに対応していくとしている。

DRAM事業について同社は、主要顧客との2026年のHBM供給に関する協議を完了したとしている。9月に開発を完了し、顧客の性能要件を満たし、業界最高レベルの速度をサポートするHBM4は現在、量産を進めており、2025年第4四半期中に出荷され、2026年には本格的な販売拡大を計画するなど、AIメモリの需要が急増する中、NANDを含め、2026年のDRAMとNANDの生産に対する顧客需要をすでに確保済みとしている。

同社は予想以上に高まった顧客需要に対応するため、新クリーンルームを早期に開設し、最近設備の設置を開始したM15X工場を通じて生産能力を拡大し、先端プロセス技術への移行を加速させる計画ともしており、この実現に向けて2026年の設備投資は2025年比で増加すると予想されるともしている。

なお、同社の最高財務責任者(CFO)のキム・ウヒョン氏は「AI技術の革新により、メモリ市場は新たなパラダイムへと移行し、需要はあらゆる製品分野に広がり始めている。当社は、市場をリードする製品と差別化された技術力を通じて顧客の需要に応え、AIメモリにおけるリーダーシップをさらに強化していく」と述べている。