アドバンテスト、2nm以降の先端プロセス向けフォトマスク用CD-SEM「E3660」を発売

アドバンテストは9月9日、2nmプロセス以降の先端プロセス向けフォトマスクならびにEUVマスクのパターン寸法測定用CD-SEM(測長走査型電子顕微鏡)「E3660」を発売したことを明らかにした。

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  2nm以降の先端プロセス向けフォトマスクのパターン寸法測定用CD-SEM「E3660」 (画像提供:アドバンテスト)

先端プロセスにおけるリソグラフィ工程では多重露光が用いられているが、回路の複雑化に伴い、超解像技術(RET:Resolution Enhancement Technology)や露光条件の最適化を行う必要があるレイアウト、いわゆるホットスポット(Hot Spot)が増加している。また、そこで用いられているフォトマスクの枚数の増加やパターン形状の高度化も進んでおり、マスクの品質保証に求められる測定ポイント数も増加しており、より高速かつ高精度で、再現性の高い測定技術が求められるようになっているという。

さらに、近年ではマルチビームを用いたマスクライターの導入や曲線パターンの適用なども進みつつあり、2027年ごろから従来のEUV露光装置に加え、高NA EUV露光装置を用いたデバイス生産も本格化していくことが見込まれており、従来の測長測定機能に加えて曲率を考慮した新たな測定手法の導入も進んでいることから、マスク上のパターンと設計データとの微細な差異を正確に把握することがこれまで以上に重要となり、CD-SEMにはより忠実なSEM画像の生成が求められるようになっているともする。

現行機比で測長再現性を20％以上向上

同社はimecと協力して現行機である「E3650」を用いて、従来機種やEDAツールの測定結果との相関性の検証を進める形で製品の信頼性向上を図ってきたとするほか、曲線パターンの多用化に対応する測定機能の開発および評価もimecとともに推進してきたとしている。その結果である同CD-SEMでは、そうした共同開発で得た知見などを活用することで、2nmプロセス以降に求められる測長再現性を実現したとするほか、測定ポイントの増加に対応した高速測定を可能にし、曲率を有するパターンに対して独自の測定ソリューションを提供できる機能も搭載することで、E3650比で測長再現性を20％以上向上させることに成功したとしている。

なお、アドバンテストでは今後、同CD-SEMを最先端マスクの開発ならびに製造用評価装置としてフォトマスクメーカーならびに半導体メーカー内のマスク製造部門向けに販売していくことで、最先端マスク開発をサポートしていくとしている。