商用高NA EUVをSK hynixが導入

SK hynixは9月2日、韓国・利川市のDRAM生産拠点であるM16ファブに他社に先駆けて商用高NA EUV露光装置「TWINSCAN EXE:5200B」を導入したことを発表した。

同社は2021年に同社の10nmプロセス第4世代である1a nmプロセスにEUV露光技術を適用して以降、先端DRAMの製造におけるEUVの適用範囲を拡大してきた。

今回導入された高NA(NA=0.55)のEUV露光装置であるTWINSCAN EXE:5200Bは、1時間あたりのスループットが175枚以上とされており、Intelが先んじて導入したプロトタイプ機である「TWINSCAN EXE:5000」と比べて生産性を約60％ほど高めることができるとされており、SK hynixでは、既存のEUV露光装置と比較して1.7倍小さいトランジスタサイズと2.9倍のトランジスタ密度を達成できるようになるとしている。

高NA EUVで次世代DRAMの開発を加速へ

なお、同社では、高NA EUV露光装置を導入することで既存のEUVプロセスを簡素化し、次世代メモリの開発を加速することで、製品性能とコスト競争力の向上を目指すとしており、他社に先行して微細化を進めることで、高付加価値のメモリ製品市場における地位の強化を図り、技術的リーダーシップの強化につなげていきたいとしている。