TSCがSiCパワー半導体市場に参入

Taiwan Semiconductor(TSC:タイワン・セミコンダクター)は、グローバルでの製品ポートフォリオを拡大し、SiCパワー半導体市場に新規参入すること、ならびに日本市場に対しても小型パッケージを採用した1200V耐圧のSiCショットキーバリアダイオード製品群の販売を開始したことを発表した。

SiCパワー半導体は、Siベースのパワー半導体と比べて高い電力効率や熱耐性などを有しており、電気自動車(EV)を中心に採用が進んでいる。同社では、近年、質の高いSiCパワー半導体の安定供給が自動車関連メーカーから求められており、これに対応するためにSiCパワー半導体市場への参入を決定したと説明している。

3.8mm×2.5mmの小型パッケージ品も用意

SiCショットキーバリアダイオードは、SiC MOSFETで回路構成されるインバータにおいてブートストラップおよび非飽和保護回路に採用されるが、走行距離の延長や重量の軽減といったEVの課題に対応することを目的にパッケージの小型化が求められるようになっており、そうしたニーズに対応することを目的に同社では今回、パッケージラインナップとして、 1Aおよび2Aの電流定格向けに3.8mm×2.5mm×1.0mmという小型低背のSOD-128を用意したとする。同パッケージは、従来のパッケージから沿面距離を見直して3.2mm(同じく小型のSMBでは2.6mm)とするなど、十分な距離を確保したことで、優れた電気的絶縁特性も実現したともする。

さらに、PIN構造とショットキー構造を統合したMPS(Merged PIN Schottky)構造を採用することで、高い順方向サージ電流耐量、低い順方向電圧降下、低リーク電流、、低静電容量による高性能化を実現しており、これらの特性により、高周波や高電圧のアプリケーションにおいて効率と堅牢性の向上を果たすことができるともしている。

  • SiCショットキーバリアダイオードとして提供されるパッケージ各種

    SiCショットキーバリアダイオードとして提供されるパッケージ各種と回路図 (出所:タイワン・セミコンダクター)

なお、すべての製品についてすでに車載電子部品の信頼性規格「AEC-Q101」の認定済みとのことで、最大ジャンクション温度175℃に対応し、EV急速充電、蓄電装置などのほか、産業用および通信電源などの要求の厳しい環境での高い信頼性と熱安定性を確保することが可能だとしている。