インフィニオン、トレンチベースのSiCスーパージャンクション製品を発表

トレンチベースのSiCスーパージャンクション技術を開発

Infineon Technologies(インフィニオン テクノロジーズ)は、SiCパワーデバイス向けの新たな技術としてトレンチベースのSiCスーパージャンクション(TSJ)技術を開発、第1弾製品として1200V品の提供を計画していることを明らかにした。

同技術は、同社のSiCとSiベースのスーパージャンクションテクノロジー(CoolMOS)で得たノウハウをもとに、トレンチ技術とスーパージャンクション設計の利点を組み合わせたもので、同社のID-PAKパッケージを採用することで、最大800kWの電力レベルをサポートすることを可能とするという。

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  ID-PAKパッケージの外観 (出所:Infineon)

また、技術的な特長について同社では、R_DS(on)×Aが最大40％向上することによる電力密度の増加を挙げており、これにより同じ電力クラス内でよりコンパクトな設計が可能になるとする。

さらに、ID-PAKの1200V SiC TSJ品では、短絡耐性を損なうことなく、メインインバーターの電流能力を最大25％向上させることができるようになるともしている。

車載用トラクションインバーター向けに活用