Rapidusは4月1日、新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)より「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業/先端半導体製造技術の開発(委託)」における「日米連携に基づく2nm世代半導体の集積化技術と短TAT 製造技術の研究開発」、ならびに「2nm世代半導体のチップレット・パッケージング設計・製造技術開発」の2025年度計画および予算が承認されたことを発表した。
2nmプロセス量産の前段となるパイロットラインの立ち上げを開始
日米連携に基づく2nm世代半導体の集積化技術と短TAT 製造技術の研究開発は、2022年11月に次世代半導体研究開発プロジェクトとして採択されたもので、同プロジェクトの委託先であるRapidusは、半導体前工程拠点「IIM」の建設を北海道千歳市にて進めてきた。
今回の2025年度計画および予算の承認は、プロジェクトの技術パートナーであるIBMにエンジニアを派遣して2nmプロセス技術の習得を進めてきたほか、EUV露光装置をはじめとする各種の先端プロセス対応半導体製造装置のIIMへの設置、クリーンルームの稼働開始などといった2024年度の目標を達成したとの判断を踏まえてなされたもの。承認された前工程向けの予算は上限6755億円で、主な計画としては、第1工場であるIIM-1への短TAT生産システムに必要な装置、搬送システム、生産管理システムの開発およびパイロットラインへの導入と、そのパイロットラインの4月1日からの立ち上げとそれに伴う300mmウェハを用いた2nm GAAトランジスタの試作開発の本格化、ならびに先行顧客向けにPDK(Process Design Kit)のバージョン0.5を2026年3月(2025年度末)までにリリースする計画で、これらをもとに顧客によるプロトタイピングの実施に向けた環境整備を進めていくことを予定しているとする。