Tower Semiconductorは12月23日(イスラエル時間)、300mmウェハを用いた65nmプロセス、3.3Vベースの新たなBCDパワーマネジメントプラットフォーム「PML」を発表した。

同プラットフォームは、すでに日本で量産を開始し、米国ニューメキシコ州アルバカーキの製造拠点で認証中の5VベースBCDプロセスプラットフォームに続くものとなる。

低オン抵抗と高い性能指数を持つLDMOSデバイスで構成されており、高速スイッチングコンバータ用の高い電力変換効率を実現するという。

また、広範な電圧範囲と公称3.3Vのゲート電圧を持つパワーデバイスを備えており、パワーマネジメントIC(PMIC)、オーディオIC、GPUおよびCPU用の高出力電圧レギュレータなどの製品に対応して実質的にオーバードライブおよびアンダードライブが可能になることから、ユーザは電力消費において優れたパフォーマンスを実現し、バッテリ駆動アプリケーションにおいてバッテリ寿命を延ばすことができるようになると同社では説明している。