東芝デバイス＆ストレージは7月13日、産業用機向けに同社第3世代となるSiCショットキーバリアダイオード(SBD)「TRSxxx65Hシリーズ」を発表。

  • 第3世代SiCショットキーバリアダイオード(SBD)「TRSxxx65Hシリーズ」のパッケージ外観

    第3世代SiCショットキーバリアダイオード(SBD)「TRSxxx65Hシリーズ」のパッケージ外観

同シリーズは、新規のショットキーメタルを採用したほか、前世代のジャンクションバリアショットキー(JBS)構造をより最適化しており、これにより前世代日で約17％の低減となる業界トップクラスの低順方向電圧1.2V(Typ.)を実現したという。また、前世代品比で順方向電圧と総電荷量のトレードオフおよび順方向電圧と逆電流のトレードオフも改善しており、これにより損失が低減され、機器の高効率化が可能になるともしている。

なお、同社では第3世代SiC SBD第1弾製品として、650V耐圧のTO-220-2Lパッケージ品7種およびDFN8×8パッケージ品5種(全12製品)の出荷を同日より開始したとしている。