これらの結果は、超伝導薄膜に侵入した磁束が重要な働きをしていることを示すものだという。一般的に、系は外部から侵入する熱的・電磁気的ノイズに常にさらされており、これが準粒子として接合の温度を上昇させ、超伝導性を悪化させる働きをするとされるが、面直磁場がかかると、この準粒子が磁束によって発生した量子渦に捕捉され、結果として接合付近の温度が下がり、スイッチング電流が増幅される。この機構は、今回の結果の、磁場面直成分にのみ依存する、ゲート電圧に依存しない、増幅磁場以下でのみヒステリシスが現れる、といった性質と整合するという。
そのため研究チームでは、今回の研究成果について、これまでのスイッチング電流増幅の減少に対する議論に合理的な説明を与え、超伝導電流の増幅にトポロジカル相が関与するという従来の議論に終止符を打つものであるとすると同時に、ジョセフソン接合における粒子のミクロな振る舞いの理解を深めるものであり、今後の超伝導デバイス設計に対する重要な示唆を与える結果だとしている。
今後は、この機構を利用して冷却効果を得て、性能を上げた超伝導デバイスの誕生が期待できるとしており、具体的な取り組みとして、マヨラナ粒子の探索が加速したり、超伝導量子ビットの性能が向上したりする可能性があるとしている。特に、マヨラナ粒子の探索には通常強い磁場が必要とされており、このような環境下では超伝導体の性能低下が問題となってきたことから、今回の結果は、マヨラナ粒子探索時に必要な強い面内磁場に加え、弱い面直磁場を加えることで、デバイスの性能が向上することを示唆するものであり、将来的な安定なマヨラナ粒子の発見、ひいては将来のトポロジカル量子計算につながる重要な成果といえるとしている。
