TI、米テキサス州シャーマンの300mmウェハ対応半導体新工場の建設に着工

Texas Instruments(TI)は5月18日(米国時間)、2021年11月に明らかにしていたテキサス州シャーマンでの新たな300mmウェハ対応半導体工場の建設に着工したことを発表した。

着工式典の様子

最大4つのファブ(半導体工場)が建設される可能性がある今回の工場建設の投資額は約300億ドルで、アナログ半導体ならびに組み込みプロセッシングチップの製造を担当する。同社では、3000人の直接雇用を生み出すことが期待されるとしている。

なお、シャーマンの第1工場の生産開始は2025年を予定。同工場について同社は既存の300mmウェハ工場(テキサス州ダラスのDMOS6、テキサス州リチャードソンのRFAB1ならびに2022年中の生産開始を予定しているRFAB2)を補完するものとしているほか、2023年の早い段階でユタ州リーハイのLFABでの生産も開始する予定としている。