TI、テキサス州に新たな300mmウェハ工場を2022年より建設開始

Texas Instruments(TI)は、テキサス州シャーマンに新たな300mmウェハ対応半導体工場(ファブ)の建設を2022年より開始する計画を発表した。

シャーマンでは、将来的な半導体の需要を満たすために最大4つのファブを建設する可能性があり、第1および第2ファブの建設を2022年に開始する予定で、2025年から第1ファブでの生産開始を見込んでいるという。

最大となる4ファブの建設にかかる総投資額は約300億ドルに達する可能性があるほか、3000名の直接雇用につながる可能性があるともしている。

新規ファブは、すでに稼働中のDMOS6(テキサス州ダラス)、RFAB1および2022年下半期に生産開始予定のRFAB2(ともにテキサス州リチャードソン)を含むTIの既存の300mmファブを補完するもので、TIが最近獲得したLFAB(ユタ州リーハイ)も2023年早々には生産を開始する予定だとしている。

TIの会長、社長兼最高経営責任者(CEO)であるリッチ・テンプルトン氏は「シャーマンに建設予定のアナログ製品および組込みプロセッシング製品向け300mmファブは、製造とテクノロジにおけるTIの競争上の優位を引き続き強化するもので、TIの長期的なキャパシティ計画の一環です。テキサス州北部での取り組みは90年以上の長期にわたるものであり、今回の決定はシャーマンのコミュニティへのTIの強力なパートナーシップと投資の証しとなるものです」とコメントしている。