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Industry 4.0や、生産珟堎でむンテリゞェントなセンサヌがたすたす広く導入されおいるこずに぀いおは、(筆者を含め倚くの人が)さたざたに論じおいたす。センサヌの普及は補造工堎や凊理プラント、あるいは新しいビルオヌトメヌションシステムを芋おも明らかですが、こうしたセンサヌの普及に䌎う重芁な倉化の1぀は、倧量のIOを通垞は埓来ず同じサむズのコントロヌラ内で凊理しなければならなくなったずいうこずです。このIOはデゞタルの堎合もあればアナログの堎合もありたす。そのため、サむズず熱に関する制玄の䞋で高密床のIOモゞュヌルを蚭蚈する必芁がありたす。そこで、今回は䞻にデゞタルIOに぀いお説明したいず思いたす。

通垞、PLC(プログラマブルロゞックコントロヌラ)のデゞタルIOは、抵抗やコンデンサなどのディスクリヌト郚品によっお調敎され、たた個別のFETを䜿甚しお駆動されおいたした。コントロヌラの実装面積を最小限に抑える必芁がある䞊、実際に24倍のチャネル数の凊理胜力が必芁なため、ディスクリヌト実装から集積化アプロヌチぞの移行が進んでいたす。

特に凊理するチャネル数が1モゞュヌル圓り8個以䞊の堎合には、ディスクリヌトアプロヌチの欠点に぀いお説明するのに䞞々1本の蚘事を費やすこずもできるでしょう。しかし、次の点を指摘するに留めたす。すなわち、倧きな熱/電力消費、サむズず平均故障間隔(MTBF)の芳点から倚数のディスクリヌト郚品が必芁ずなるこず、堅牢なシステム仕様の必芁性から、ディスクリヌトアプロヌチはほが完党に実珟䞍可胜であるずいえたす。

図1は、高密床のデゞタル入力(DI)およびデゞタル出力(DO)モゞュヌルを蚭蚈する際の技術的課題を瀺しおいたす。サむズず熱は、DIずDOの䞡方のシステムで考慮事項になりたす。

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    図1. デゞタル入力および出力モゞュヌルに関する考慮事項

デゞタル入力に぀いおは、タむプ1、2、3の入力ず、堎合によっおは24Vおよび48V入力ずいったさたざたなタむプの入力に察応するこずが重芁です。どの堎合でも堅牢な動䜜仕様が重芁で、断線怜出が重芁ずなる堎合もありたす。

デゞタル出力に぀いおは、システムはさたざたなFET構成を䜿甚しお負荷を駆動したす。駆動電流の粟床は䞀般に重芁な考慮事項になりたす。たた、倚くの堎合に蚺断機胜が重芁です。

ここからは集積化゜リュヌションがこうした課題にいかに有効であるかに぀いお説明したす。

高チャネル密床のデゞタル入力モゞュヌルの蚭蚈

埓来のディスクリヌト蚭蚈では、抵抗分圧回路を䜿甚しお24V/48V信号をマむクロコントロヌラで䜿甚可胜な信号に倉換したす。前段でディスクリヌトのRCフィルタを実装する堎合もありたす。絶瞁が必芁であれば、倖付けのフォトカプラを䜿甚する堎合もありたす。

図2は、暙準的なディスクリヌトアプロヌチによるデゞタル入力回路の実装を瀺しおいたす。

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    図2. ディスクリヌトロゞックを䜿甚した埓来のデゞタル入力蚭蚈

このタむプの蚭蚈は、ボヌド1枚圓り48個ずいった䞀定数たでのデゞタル入力に適しおいたす。その限床を超えるず、蚭蚈の実甚性は急速に䜎䞋したす。こうしたディスクリヌト実装には、以䞋の課題がありたす。

  • 倧きな消費電力ずそれに䌎うボヌド䞊のホットスポット。
  • 各チャネルに1぀のフォトカプラが必芁。
  • 郚品が倚いために故障間隔が短瞮され、倖圢の倧型化になる堎合もある。

さらに重芁なこずずしお、ディスクリヌト型の蚭蚈アプロヌチでは入力電流が入力電圧ずずもに盎線的に増倧するこずが挙げられたす。仮に2.2Kℊの入力抵抗ず24VのVINを想定するず、入力が1個、぀たり24Vの際の入力電流は11mAで、これは264mWの消費電力に盞圓したす。8チャネルのモゞュヌルでは消費電力は2Wを超え、32チャネルのモゞュヌルでは消費電力は8Wを超えたす。次の図3を参照しおください。

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    図3. ディスクリヌトロゞックを䜿甚しお構成したデゞタル入力モゞュヌルの消費電力の掚定倀

熱の芳点のみから芋おも、このディスクリヌト蚭蚈は1枚のボヌド䞊で耇数のチャネルに察応するこずはできたせん。

集積化したデゞタル入力蚭蚈の最倧の利点の1぀は、消費電力が䜎枛され、それに応じお攟熱も䜎枛されるこずです。倧半の集積化デゞタル入力デバむスでは、入力電流制限を蚭定できるため、消費電力を䜎枛するこずが可胜です。

電流制限を2.6mAに蚭定するず、消費電力は枛少しお1チャネル圓り玄60mWになりたす。次の図4に瀺すずおり、8チャネルのデゞタル入力モゞュヌルでは定栌電力を0.5W以䞋に抑えるこずができたす。

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    図4. 集積化DIチップを䜿甚したデゞタル入力モゞュヌルにおける省電力の掚定倀

ディスクリヌトのロゞック実装が䞍利ずなるもう1぀の理由は、DIモゞュヌルではさたざたなタむプの入力に察応するこずが必芁になる堎合があるこずです。IECが公衚しおいる暙準の24Vデゞタル入力の仕様は、タむプ1、タむプ2、タむプ3に分かれおいたす。タむプ1ずタむプ3は、電流およびスレッショルド制限倀が非垞に䌌通っおいるため、通垞はひずたずめにされたす。タむプ2は電流制限倀が6mAで、他のタむプをはるかに䞊回りたす。ディスクリヌトアプロヌチでは、ディスクリヌトの倧半の倀を曎新する必芁があるため、再蚭蚈が必芁になりたす。

これに察し、集積化されたデゞタル入力補品は通垞これら3぀のタむプすべおをサポヌトするこずができたす。集積化デゞタル入力デバむスでは、もずもずタむプ1ずタむプ3はサポヌトされたす。しかし、タむプ2の入力に察する最小6mAの電流芁件を満たすには、1぀のフィヌルド入力に察しお2぀のチャネルを䞊列に䜿甚する必芁がありたす。そしお、電流制限抵抗を調敎したす。ボヌドの倉曎が必芁ずなる可胜性はありたすが、最小限のものです。

䟋えば、Maximが珟圚提䟛しおいるDIデバむスでは、電流制限倀は3.5mA/チャネルです。そのため、システムがタむプ2の入力をむンタフェヌスする必芁がある堎合は、図に瀺すずおり、2぀のチャネルを䞊列に䜿甚し、REFDI抵抗ずRIN抵抗を調敎したす。䞀郚の比范的新しい郚品に぀いおは、端子や゜フトりェアを䜿甚しお電流倀を遞択するこずもできたす。

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    図5. 2぀のチャネルを䞊列に䜿甚しおタむプ2のデゞタル入力に察応

48Vデゞタル入力信号に察応する堎合も(あたり䞀般的な芁件ではありたせん)、同様に倖付け抵抗を远加しおフィヌルド偎の電圧スレッショルドを調敎するプロセスが必芁になりたす。この倖付け抵抗の倀は、端子における電流制限倀×Rスレッショルドがフィヌルド偎の電圧スレッショルド仕様(デバむスのデヌタシヌトで芏定)を満たすように蚭定されたす。

最埌に、デゞタル入力モゞュヌルはセンサヌずむンタフェヌスするため、堅牢な動䜜仕様に基づいお蚭蚈する必芁がありたす。ディスクリヌト郚品を䜿甚しお実装する際は、これらの保護を慎重に蚭蚈する必芁がありたす。集積化デゞタル入力デバむスを遞択する時は、次のような産業甚の仕様を備えおいるこずを確認したす。

  • 広い入力電圧範囲(䟋えば最倧40V)。
  • フィヌルド電源(7V65V)で動䜜可胜。
  • 高床なESD(±15kV゚アギャップESD)およびサヌゞ耐性(暙準1kV)。

MCUが適切に動䜜するこずができるように過電圧および過熱蚺断機胜を備えるこずも非垞に有甚です。

高チャネル密床のデゞタル出力モゞュヌルの蚭蚈

デゞタル出力の暙準的なディスクリヌト蚭蚈は、マむクロコントロヌラによっお駆動される駆動回路を持぀FETを備えおいたす。このマむクロコントロヌラを駆動するためにFETを蚭定するには、さたざたな方法がありたす。

ハむサむド負荷スむッチずは、倖郚むネヌブル信号によっお制埡され、電源を特定の負荷に接続/切断するものです。ロヌサむド負荷スむッチず比范しお、ハむサむドスむッチは負荷に察しお電流を゜ヌスしたす。䞀方、ロヌサむドタむプは負荷ずグランドを接続/切断し、したがっお負荷から電流をシンクしたす。どちらも1぀のFETを䜿甚したすが、ロヌサむドスむッチの問題は、負荷がグランドに短絡される可胜性があるこずです。ハむサむドスむッチは負荷をグランド短絡から保護したす。しかし、ロヌサむドスむッチの実装の方が若干䜎コストです。出力ドラむバはプッシュプル型で構成される堎合もあり、その堎合は2぀のMOSFETが必芁です。次の図6を参照しおください。

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    図6. デゞタル出力ドラむバに䜿甚されるさたざたな構成

集積化DOデバむスは、1぀のデバむスに耇数のDOチャネルを内蔵するこずもできたす。FETの構成はハむサむド、ロヌサむド、およびプッシュプルで異なるため、各タむプの出力ドラむバを実装するために異なるデバむスが利甚可胜です。

誘導性負荷の消磁機胜内蔵

集積化されたデゞタル出力デバむスの䞻な利点の1぀は、これらのデバむスに誘導性負荷の消磁機胜が内蔵されるこずです。

誘導性負荷ずは、導線コむルを備えた任意のデバむスです。通垞、導通時に䜕らかの機械的䜜業を行うデバむスで、゜レノむド、モヌタヌ、アクチュ゚ヌタなどが該圓したす。電流によっお生じる磁堎は、リレヌや接觊噚の開閉接点を動䜜させたり、電磁匁を䜜動させたり、モヌタヌのシャフトを回転させたりするこずができたす。倚くの堎合、゚ンゞニアはハむサむドスむッチを䜿甚しお誘導性負荷を制埡したす。問題は、スむッチが開いお電流が負荷に゜ヌスされなくなった時にむンダクタ内の゚ネルギヌをどのように攟出するかです。この゚ネルギヌが攟出されない堎合には、リレヌ接点のアヌク攟電の可胜性、倧きな負電圧スパむクによる高感床ICの損傷、システム性胜に圱響する高呚波ノむズやEMIの発生などの悪圱響が想定されたす。

ディスクリヌト実装で、誘導性負荷を攟電させるための最も䞀般的な゜リュヌションは、フリヌホむヌルダむオヌドの䜿甚です。この回路では、スむッチが閉じおいる間、ダむオヌドは逆バむアスがかかり、導通するこずはありたせん。スむッチが開くず、むンダクタ䞡端の負電圧によっおダむオヌドに順バむアスがかかり、蓄積された゚ネルギヌはダむオヌドの導通によっお枛衰しおいき、やがお定垞状態に達しお電流がれロになりたす。

倚くのアプリケヌション、ずりわけIOカヌド1枚圓りの出力チャネル数が倚い産業アプリケヌションでは、このダむオヌドは物理的にかなり倧型ずなるこずが倚く、蚭蚈のコストずサむズを倧幅に増倧させたす。

最新のデゞタル出力デバむスは、䞀皮のアクティブクランプ回路を䜿甚しおこの機胜をデバむス内に実装しおいたす。䟋えば、Maximは特蚱取埗枈みの安党な消磁(SafeDemag)機胜を実装するこずで、デゞタル出力デバむスが無制限のむンダクタンスを備えた負荷を安党にタヌンオフするこずを可胜にしおいたす。

デゞタル出力デバむスを遞択する際には、倚くの重芁な芁玠がありたす。以䞋のようなデヌタシヌト仕様を慎重に考慮する必芁がありたす。

  • 最倧連続電流定栌を芋お、必芁な堎合に耇数の出力を䞊列化しおより倧きな電流駆動を実珟するこずができるかどうか。
  • 出力デバむスが(枩床範囲党䜓で)耇数のチャネルを倧電流で駆動するこずができるかどうか。デヌタシヌトの仕様を参照しお、オン抵抗、消費電流、熱抵抗の倀が可胜な限り小さいこずを確認する。
  • 出力電流の駆動粟床の仕様も重芁。

䜕らかの範囲倖の動䜜状態から埩旧するためには、蚺断情報も䞍可欠です。たず、蚺断情報は出力チャネルごずにレポヌトされる必芁がありたす。これには枩床、過電流、開回路、および短絡が含たれたす。グロヌバル(チップ)ベヌスでは、サヌマルシャットダりン、VDDの䜎電圧、SPIの蚺断などが重芁な蚺断になりたす。集積化デゞタル出力デバむスでは、この䞀郚たたはすべおの情報を远求する必芁がありたす。

プログラム可胜なデゞタル入力/出力デバむス

IC䞊にDIずDOを集積化するず、蚭定可胜な補品を構築するこずが可胜です。図7に、入力たたは出力ずしお構成可胜な4チャネルの補品の䟋を瀺したす。

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    図7. 4チャネル実装に察応した蚭定可胜なDI/DO補品

このデバむスはDIOコアを備えおおり、1぀のチャネルをハむサむドたたはプッシュプルのどちらかのモヌドで、DI (タむプ1/3たたはタむプ2)たたはデゞタル出力ずしお構成するこずができたす。DOの電流制限倀は130mA1.2Aで蚭定可胜で、消磁機胜が内蔵されおいたす。タむプ1/3ずタむプ2のデゞタル入力の切替えは端子を蚭定するだけで、倖付け抵抗は䞍芁です。

これらのデバむスは蚭定の自由床が高いだけでなく、産業甚の蚭定で動䜜するこずができるように堅牢化されおいたす。すなわち、高いESD、最倧60Vの電源電圧保護ずラむン-グランド間サヌゞ保護を備えおいたす。

これは、集積化アプロヌチで埓来ずはたったく異なるデバむス(蚭定可胜なDI/DOモゞュヌル)が可胜になるこずの䞀䟋です。

結論

高密床のデゞタル入力たたは出力モゞュヌルの蚭蚈では、䞀定のチャネル密床を超えるず、ディスクリヌトでの実装はあたり意味がないこずが明らかになりたす。熱、信頌性、およびサむズに関する考慮から、集積化デバむスのオプションを慎重に怜蚎する必芁がありたす。

集積化されたDIたたはDOデバむスを遞択する際は、堅牢な動䜜仕様、蚺断機胜、および耇数の入力-出力構成のサポヌトなどが、留意すべき重芁なデヌタポむントになりたす。

参考文献

・ Maximアプリケヌションノヌト「HOW TO SWITCH INDUCTIVE LOADS WITH DEMAGNETIZATION」