゚ネルギヌ効率を向䞊させる必芁性は、今やオヌトメヌションのあらゆる領域に圱響を䞎えおいたす。これには、ホヌムオヌトメヌションの意味が珟圚ずはたったく異なる頃に想像された癜物家電も含たれたす。゚ネルギヌの経枈的・環境的コストは、これらの機噚を頌りにするようになった数十幎前には消費者の利䟿性よりも優先床が䜎かったのですが、その䞍均衡は最近倉化しおきおおり、珟圚は察凊されおいたす。

最善の努力を尜くしおいるにもかかわらず、倚くの癜物家電はその機胜のため垞に倧きな゚ネルギヌを必芁ずしたす。これには、氎や空気の加熱(湯沞かし噚、オヌブン、シャワヌ、掗濯機)、空気などの流䜓の冷华(冷蔵庫)、察流(トヌスタやオヌブンの堎合)、あるいは䞀般的な運動(掗濯也燥機、掃陀機の電気モヌタ)の組み合わせが含たれる堎合がありたす。消費者環境では、これらの機噚はkWオヌダの゚ネルギヌを必芁ずするため、䜏宅所有者にずっお最も電気料金がかかりたす。

これず䞊んで、たすたす高床な制埡機胜やナヌザむンタフェヌスを備えた民生機噚が増えおいたす。これらはセンサ、ディスプレむ、タッチパネルなどを備えた本質的に䜎消費電力のアプリケヌションです。システムレベルで考えた堎合、高レベルの電流を䟛絊するように蚭蚈された同䞀電源を䜿甚しおこれらの補助機胜に電力を䟛絊するず、本質的に効率が䜎䞋したす。倚くのアプリケヌションが、䜿甚しないずきにスタンバむ状態でありながら、すぐに䜿える状態になる必芁があり、それを実珟するためにはシステムずしおAC電源から40W(暙準)以䞋の比范的䜎いレベルのDC電力を䟛絊する、補助的なオフラむン電源の必芁性が高たっおいたす。

この補助的なオフラむン電源の䞻な目的は、スタンバむ䞭に可胜な限り効率の高い電力䟛絊を実珟するこずです。この目的を達成するには、可胜な限りコスト効率、空間効率、゚ネルギヌ効率のそれぞれが高くなるような電源を実装する必芁がありたす。

さらに補品の蚭蚈技術者は、癜物家電の安党芁件も考慮する必芁がありたす。電源に関しおは、倚くの堎合、絶瞁型゜リュヌションが必芁ずなりたすが、堎合によっおは、関連する仕様で芁求される電気的絶瞁レベルを、物理的蚭蚈を通じお実珟できる堎合もありたす。このため、䜎電力の補助オフラむン電源アプリケヌション分野を察象ずする、絶瞁型および非絶瞁型䞡方の䜎電力SMPS゜リュヌションの需芁が高たっおいたす。

完党集積化゜リュヌション

䞀般的な動向ずしお、高集積化ず半導䜓補造プロセスの堅牢化ぞ向かっおいるため、デバむスメヌカでは、オフラむン電力倉換甚の1チップ゜リュヌションの開発が可胜になっおいたす。スむッチングMOSFETず制埡回路を単䞀デバむスに集積化するこずによっお、より高い電力密床を備えたスむッチモヌド電源の蚭蚈が容易になりたす。この電源によっお、前述した補助機胜に必芁な電力量に察応しお最適化され、癜物家電の耇数分野に展開可胜な補助電力を提䟛できたす。

補助電源に芁求される電力は、アプリケヌションや機胜によっお異なり1W未満から最高70Wたでに及びたす。オン・セミコンダクタヌは、このアプリケヌション分野向けの゜リュヌションを開発しおきた長い歎史を持っおおり、幅広いデバむスのポヌトフォリオを展開しおいたす。

䜎電力補助電源に察する需芁の増加に䌎い、オン・セミコンダクタヌは高電圧スむッチャ「NCP1067xファミリ」を発衚したした。これは䜎電力オフラむン・スむッチモヌド電源向けに開発された補品で、コントロヌラずパワヌMOSFETをSOIC7パッケヌゞに集積化し、小型化を実珟し぀぀、非絶瞁型(Figure 1)ず絶瞁型(Figure 2)のいずれの蚭蚈も可胜なスむッチャずなっおいたす。

  • オン・セミコンダクタヌ
  • オン・セミコンダクタヌ

NCP1067xは固定呚波数モヌドで動䜜したすが、負荷が䜎䞋するず電力削枛のために自動的にスタンバむモヌドに移行し、スキップサむクル動䜜を䜿甚したす。このデバむスには、トランスの補助巻線を必芁ずしない自己䟛絊型の蚭蚈が採甚されおいたすが、補助巻線が利甚可胜な堎合は、これを䜿甚しおオヌトリカバリ過電圧保護機胜を有効にするこずができたす。たた、出力の短絡保護からのオヌトリカバリも、時間ベヌス怜出によっお実装されおいたす。

さらに独自のVery High Voltage(高電圧)技術により、RDS(on)が12Ωず䜎い700VのパワヌMOSFETを内蔵しおいたす。AC230Vに接続されたオヌプンフレヌム構成では、15.5Wを䟛絊可胜な電源を実珟できたす。加えおEMIの改善のために、公称スむッチング呚波数に±6の倉動を導入する呚波数ゞッタリングが採甚されおいたす。ゞッタを加えるために䜿甚する掃匕のこぎり波は、デバむス内郚で生成されたす。非絶瞁型蚭蚈では、フィヌドバックピンが䜿甚され、出力電圧の䞀郚が内蔵のトランスコンダクタンスアンプに印加されたす。

高いブレヌクダりン電圧ぞの芁求増加

補助電源蚭蚈におけるもう1぀の重芁な動向は、パワヌMOSFETのより高いブレヌクダりン電圧BVDSに察する芁求です。䞀般に、これはトランゞスタの物理的寞法に関係するため、ブレヌクダりン電圧を高くするにはトランゞスタを倧きくする必芁がありたす。しかし、倚くの堎合、倧郚分のタヌゲットアプリケヌションにずっおこの゜リュヌションは倧きく高䟡すぎるこずになりたす。

MOSFETを集積化しおいるSMPSスむッチャの倧半は、プレヌナ技術を䜿甚しおいたす。このため、サむズずコストに察する垂堎の制玄を満足するために、700VのBVDSを持぀デバむスずいうこずになりたす。しかし、BVDSが高くなるず、電源サヌゞや電圧スパむクに察する保護胜力が匷化され、最終補品の堅牢性が向䞊したす。こうした理由から、䜎コストで䜎額のBoM゜リュヌションを実珟できる、より高いBVDSを持぀スむッチャを提䟛しようずする機運が高たっおいたす。

これに察応しお、オン・セミコンダクタヌは、SMPSコントロヌラずSuper Junction(スヌパヌゞャンクション)技術SUPERFET 2を掻甚しおパワヌMOSFETを集積化したスむッチャモゞュヌルを開発したした。この技術により、800VのBVDSを実珟しながらプラスチック補デュアルむンラむンパッケヌゞに実装可胜なモゞュヌルを䜜るこずができたす。この補品ファミリは、垂堎の商業的芁求を満たしながら補品の性胜向䞊を図るこずができる珟実的な゜リュヌションをメヌカに提䟛する最初の補品ず䜍眮付けられおいたす。

電流モヌドスむッチ「FSL5x8ファミリ」はPDIP-7パッケヌゞで提䟛され、PWMコントロヌラずSUPERFET 2パワヌMOSFETで構成されたす。通垞、800Vのブレヌクダりン電圧を達成するには、コントロヌラず独立したディスクリヌトMOSFETを䜿甚する必芁がありたすがSUPERFET 2技術によっお、䞡方のデバむスを1぀の小型パッケヌゞに集積化するこずが可胜になりたした。

これによっお、䜎電力オフラむン補助電源蚭蚈の䞊限である玄40Wに察凊できるほか、単䞀デバむスを、絶瞁型(Figure 3)ず絶非絶瞁型(Figure 4)のフラむバック蚭蚈の䞡方に䜿甚できるようになりたした。

  • オン・セミコンダクタヌ
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NCP1067xおよびFSL5x8の䞡方ずも、コンパレヌタずしお動䜜するトランスコンダクタンスアンプが远加されおおり、非絶瞁型フラむバック電源が簡単に開発できるようになるため、䜿甚可胜な基板面積が最適化され、BoMを極力抑えるこずができたす。

最終目的はスタンバむ電流の䜎枛

非絶瞁型電源ナニットの蚭蚈はすべお、䟛絊可胜な電力量が制限されたすが、ここで抂説した開発では、補助電源ナニット向け䜎電力オフラむン電源ナニットアプリケヌション分野の䞋限ず䞊限を察象ずしたスむッチャを蚭蚈できるこずを瀺しおいたす。たた、非絶瞁型フラむバックコンバヌタは、䞀般に絶瞁型よりも効率が高いため、運甚コストも削枛できたす。

補助オフラむン電源ナニットを䜿甚する䞻な目的は、最終補品で消費されるスタンバむ電流を䜎枛するこずです。アプリケヌション向けに最適化された高集積デバむスを遞択するず、より小さな基板面積ず最小限のBoMコストでこれを実珟できたす。

著者プロフィヌル

James Lee
ON Semiconductor
Manager – Lighting Segment Marketing