Micron、SSD製品に関する戦略を説明「2008年にはMLC採用SSD製品を投入」

DRAMやNANDフラッシュメモリの大手ベンダである米Micron Technologyは21日、都内で同社のSSD(Solid State Drive)製品「RealSSD」およびNAND型フラッシュメモリに関する記者説明会を開催、同社Market Development,Vice PresidentのDean A.Klein氏が2007年11月に発表したSSD製品の説明を行ったほか、NAND型フラッシュメモリ市場の展望などを話した。

デジタルスチルカメラの記録媒体として始まったNAND型フラッシュメモリは低コスト、不揮発性、省スペース、低電力、駆動部品の不要などの特徴を持ち、USBメモリ、シリコンオーディオ、デジタルビデオカメラなどへと適用デバイスを拡大している。今後はコンピューティングの分野へ本格的にNAND型フラッシュメモリが用いられていくものと見られ、同社ではHDDの代替を目的としたSSDの提供を2007年11月より開始している。

SSDとHDDを比べた場合、記録容量とビット当たりのコストはHDDの方が良いが、性能、信頼性、耐久性、消費電力、サイズ、重量、耐衝撃性、温度など多くの点でSSDはHDDを上回るという。また、CPUのL1キャッシュのレイテンシを1とした場合、DRAMが1,200、HDDが2,500万と両者の間には相当な差があった。これに対しSSDのレイテンシは2万5,000で、その差を縮めることが可能なデバイスとなる。

同社のRealSSDは、HDDの置き換え用途に向けたSSDのほか、組み込み型USBおよびメモリモジュール形式での提供が行われている。SSD形式は1.8インチおよび2.5インチサイズで32Gバイトないし64Gバイトが提供されている。組み込み型USBは1Gバイト品から8Gバイト品まで複数ラインナップされており、USB2.0インタフェースによるシステム統合が容易な設計となっている。モジュール品はカスタム対応で、SATAインタフェースに対応し、サーバなどでの使用が考えられている。

これらの製品について、同社では2008年にMLC(Multi Level Cell)を採用したものを投入することを計画している。まず組み込み型USB製品から提供を開始、次に64Gバイトないし128GバイトのSSD製品を提供するという。製造プロセスは70nmないし50nmが採用される予定。

また、NAND型フラッシュメモリは、プロセスが30nmを切るようになると、電子の数が少なくなるほか、20nm程度になるとフローティングゲート間の干渉が影響を及ぼすようになるといった問題が生じる。しかし、同社では25nmプロセスを採用したフローティングゲートの試作を完了しており、今後も微細化は進展可能であるとの見方を示している。