今回発表されたMOSFET「SSM6N357R」

今回発表されたMOSFET「SSM6N357R」

東芝デバイス&ストレージは1月29日、メカリレーなどの誘導性負荷のドライブに適し、ドレイン-ゲート端子間にダイオードを内蔵したMOSFET「SSM6N357R」の製品化を行い、量産・出荷を開始すると発表した。

同製品は、周辺回路として必要なプルダウン抵抗、シリーズ抵抗、ツェナーダイオードを内蔵しており、部品の削減ができるだけでなく、実装スペースの削減にも貢献する。

さらに、同製品はデュアルタイプパッケージ(2in1)を採用しており、同社のシングルタイプパッケージ品「SSM3K357R」を2個使用する場合と比較して、実装面積を42% 程度低減するとのことだ。

また、業界標準のTSOP6Fクラスのパッケージと3.0Vの低電圧動作およびAEC-Q101に適合。車載用途をはじめとした幅広い用途への応用が可能だとしている。