Samsung、ゼロからデザインした「GALAXY S6」、両端がカーブした「GALAXY S6 Edge」を発表

パフォーマンスでは、一般的にスマートフォンで使われるQualcomm製ではなく、自社製のチップセットを採用。14nmプロセスによる64bitコアのチップが搭載されており、20nmプロセスのチップセットを採用したGALAXY Note 4と比べて、パフォーマンスは20％向上、電力効率は30％向上した、という。

メモリは従来のDDR3からDDR4に高速化。メモリパフォーマンスは80％高速化した。ROMはeMMCになり、データの読み書きも高速化している。

ディスプレイも577ppiと高解像度で、GALAXY S5に比べて77％ピクセル数が拡大した。「スマートフォンの中で最高のディスプレイ」(Samsung Electronics America Product Strategy & Marketing Team Vice President、Justin Denison氏)と強調する。ちなみに、VRヘッドマウントディスプレイの「Gear VR」は、新たにGALAXY S6/S6 Edgeに両対応する。

パフォーマンスが向上しつつ電力消費は抑えられており、バッテリ駆動時間は無線LAN通信で12時間、LTE通信で11時間の連続通信が可能。動画再生は連続13時間、音楽再生は連続49時間が可能。

急速充電もサポートし、10分の充電で通常利用なら4時間持続する程度の充電が可能。iPhone 6に比べて倍の速度で充電できるそうだ。バッテリ交換できない代わりに、少しの空き時間でもすぐに充電できることをメリットとしている。

さらに、ワイヤレス充電に対応。1チップでQi(WPC)とPowermat(PMA)の2つの方式に対応。日本をはじめとしていくつかの国で採用されるWPCと、主に米国で使われるPMAの双方に対応したことで、規格を問わず充電代に置くだけで充電できる。