imecの研究者が解説 - SRAMキャッシュ代替としてのSOT-MRAMの可能性

SOT-MRAMメモリデバイスの基本的な構成要素

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory:磁気ランダムアクセスメモリ)は文字通り、磁化の方向によって記憶素子の電気抵抗が変わることを利用した不揮発性メモリである。その中でも次世代MRAMとして期待されているSOT-MRAM(Spin Orbit Torque MRAM:スピン起動トルク磁気RAM)は、最終レベルキャッシュメモリとして使用するための興味深いパフォーマンスと信頼性の特性を備えている。

デバイス設計をさらに最適化することで、書き込み電力消費、デバイス密度、および寿命を向上させることができ、これらの進歩をアレイレベルで実現することで、実際のアプリケーションにさらに近づくことができる。

材料スタックの再設計、極小型のSOT-MRAMデバイスの大規模アレイ統合、磁気耐性の理解を深めることで、imecがこれらの問題にどのように対処したかを、VLSI Symposium 2018からIEDM 2024に至る国際会議での発表を基に、imecより翻訳の許可を得る形で、ベルギーimecでMRAMの研究に従事している担当者らが示した内容を複数回に分ける形で紹介する。