キオクシア、次世代高性能スマホ向けUFS4.1対応組込式フラッシュメモリのサンプル出荷を開始

キオクシアは7月9日、オンデバイスAI機能を持つハイエンド・スマートフォンなど次世代モバイル機器向けに、開発を進めているUFS 4.1対応組込式フラッシュメモリのサンプル出荷を開始したことを発表した。

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  キオクシアのUFS 4.1対応組込式フラッシュメモリのパッケージ外観イメージ (出所:キオクシア)

同製品は、前世代品となるUFS 4.0対応製品と比べて、ランダムライト速度が約30％(512GB/1TB品)、ランダムリード速度が約45％(512GB品)/約35％(1TB品)向上させつつ、電力効率をリード時に約15％(512GB/1TB品)、ライト時に約20％(512GB/1TB品)向上させることで、低消費電力化を実現しながらダウンロードの高速化やアプリのスムーズな動作などを可能としたもの。

また、WriteBoosterバッファのリサイズ機能により、パフォーマンスを最適化する柔軟性を向上させたとするほか、ホスト主導のデフラグメンテーション機能により、ガベージコレクションの実行タイミングを制御し、重要な場面での高速性能を維持することが可能になるともしている。

256GB/512GB/1TBの3製品をラインアップ

なお、サンプル品は256GB、512GB、1TBの3製品がラインアップ。512GB品ならびに1TB品については、別々のウェハで製造されたCMOS回路とメモリセルアレイを貼り合わせることで、フラッシュメモリの電力効率、性能、ビット密度の向上を可能とするCMOS directly Bonded to Array(CBA)技術を活用した同社の3次元フラッシュメモリ「第8世代BiCS FLASH」とコントローラをJEDEC規格の小型BGAパッケージに収めたもの。また、1TB品については、パッケージ高さを前世代品比で削減を果たしたともしている。